A tecnologia X-NAND, introduzida pela NEO Semiconductor no verão passado, gerou muito interesse, pois promete superar as principais desvantagens da memória flash com três ou mais bits por célula: recursos reduzidos e baixa velocidade de gravação.
Graças ao uso de um buffer unificado capaz de atender simultaneamente 16 colunas (Y-Plane) e vários outros truques, os desenvolvedores conseguiram alcançar a superioridade do QLC X-NAND mesmo sobre o SLC clássico. Pelo menos em teoria. Na prática, a empresa utilizava quatro camadas de 16 colunas Y, que permitiam a escrita em três planos no modo SLC, enquanto o quarto era utilizado para transferir os dados gravados em paralelo ao modo TLC. Isso possibilitou atingir uma velocidade de gravação constante de 1600 MB / s – 10 vezes maior que a de um chip TLC convencional.
A estrutura do cristal X-NAND. Fonte: NEO Semiconductor
E, mais recentemente, foi anunciado um novo X-NAND de segunda geração. Para isso, é declarado um aumento de duas vezes no desempenho e os novos chips NEO Semiconductor são organizados de maneira um pouco diferente em termos de paralelismo: agora a gravação SLC e a compactação TLC são realizadas em cada par de quatro planos disponíveis. Isso possibilitou dobrar a velocidade de gravação, até 3200 MB / s. Os desenvolvedores também relatam um aumento de três vezes nas velocidades de leitura/gravação em operações aleatórias e uma ligeira diminuição na latência; ao mesmo tempo, o tamanho do cristal X-NAND de segunda geração não mudou.
A paralelização da gravação SLC e a compressão QLC resolvem o problema de velocidade. Fonte: NEO Semiconductor
A arquitetura suporta a implementação de opções de memória flash com quase qualquer número razoável de bits por célula, de SLC a PLC, enquanto a tecnologia permite que a produção X-NAND seja implantada com base nos processos técnicos de qualquer grande fornecedor de dispositivos NAND. De acordo com a NEO Semiconductor, estamos falando de custos quase zero para a modernização da produção para a produção de X-NAND. Infelizmente, a empresa não anunciou oficialmente se algum dos principais players está pronto para lançar uma produção em massa de nova memória.