A Samsung realizou uma cerimônia marcando o início das remessas do primeiro lote de seus chips de 3nm feitos com transistores GAA. O evento ocorreu no local onde a linha de produção V1 está localizada no campus de Hwaseong na Coreia do Sul.

Fonte da imagem: Sammobile

O evento contou com a presença de cerca de 100 pessoas, incluindo altos funcionários do Ministério do Comércio, Indústria e Energia da Coreia do Sul e todos os principais funcionários da Samsung que contribuíram para o desenvolvimento e organização da produção em massa de chips de próxima geração. Durante o evento, a Samsung anunciou a meta ambiciosa de “avançar com tecnologias inovadoras para se tornar a melhor do mundo”.

De acordo com a Samsung Foundry, os obstáculos tecnológicos no desenvolvimento do processo de 3nm foram eliminados através da cooperação com ambas as outras divisões da Samsung, bem como com parceiros de fabricação e infraestrutura da empresa.

Os chips de 3nm da Samsung usam a tecnologia de transistor GAA (Gate All Around), proporcionando consumo de energia mais eficiente e melhor desempenho em comparação com o FinFET já usado. A nova solução será usada para produzir processadores projetados para servidores, data centers, além de chipsets avançados para smartphones, tablets, wearables, laptops, desktops e outros eletrônicos.

A empresa começou a desenvolver o GAA no início dos anos 2000 e o aplicou com sucesso pela primeira vez na produção de chips de 3 nm em 2017. Após vários anos de pesquisa e testes, começou a produção de novas soluções. Em particular, chips de 3nm serão fornecidos a uma mineradora chinesa.

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O principal concorrente da Samsung no mercado de fabricação de semicondutores, a TSMC, deve começar a fabricar chips de 3 nm por volta do quarto trimestre de 2022. Ambos competirão pelo direito de receber pedidos de grandes fornecedores como AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA e Qualcomm.

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