Cientistas japoneses, junto com colegas de Taiwan, criaram uma célula de memória resistiva ReRAM, cujo estado pode ser lido simultaneamente com sinais elétricos e ópticos. Para criar um dispositivo compacto “dois em um” ajudou a perovskita, uma camada da qual tanto conduz elétrons e mantém a carga, quanto fótons emitidos. Esta propriedade aumentará o desempenho do subsistema de memória separando tarefas e ajudará nas tecnologias de criptografia.
Fonte da imagem: Kyushu University / Ya-Ju Lee
Em princípio, criar uma célula de memória para o armazenamento e transmissão simultânea de dados eletricamente e para sinalizar o estado da célula por radiação de fótons é uma questão simples. Cientistas da National Taiwan Normal University e da Kyushu University estabeleceram uma meta para criar tal célula de memória na forma de um dispositivo monolítico condicionalmente, e não um composto – a partir de LEDs e células de memória. A perovskita na forma de um composto de brometo de césio-chumbo (CsPbBr) pode ajudar nisso.
O estudo, relatado na Nature Communications, resultou em uma célula de memória ReRAM compacta que é relatada em flashes em tempo real em paralelo com as operações de memória. Além disso, usando pontos quânticos de tamanhos diferentes na camada de perovskita, os cientistas foram capazes de fornecer indicação multicolorida dos modos de escrever e apagar (azul e verde), na verdade repetindo o processo de transmissão de dados da célula em flashes.
Fonte da imagem: Kyushu University / Ya-Ju Lee
A duplicação de sinais elétricos na memória por indicação ótica em um dispositivo compacto abre a possibilidade de aumentar o desempenho da memória ReRAM paralelizando parte dos processos. Em uma célula de memória ReRAM convencional, para sua operação, é necessário medir a resistência da camada resistiva e fazer uma série de outras medições elétricas associadas, das quais a “memória com indicação de luz” é liberada. Pode ser útil algum dia, porque a fotônica está se tornando uma parte importante da nova eletrônica.