A Micron anunciou o início da produção em massa de memória de alto desempenho HBM3E no formato de pilhas de 8 níveis com capacidade de 24 GB. Esses chips serão usados como parte de aceleradores especializados NVIDIA H200 AI, cujas entregas em massa começarão no segundo trimestre de 2024.
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A Micron afirma que a crescente demanda por computação de IA requer novas soluções de memória de alto desempenho. Os novos ICs HBM3E da Micron atendem totalmente a esses requisitos.
Para suas pilhas de memória HBM3E de 8 camadas e 24 GB, a Micron afirma velocidades de transferência de dados de 9,2 Gbps por pino e mais de 1,2 TB/s de largura de banda. De acordo com a Micron, seus chips de memória HBM3E são até 30% mais eficientes em termos energéticos do que soluções similares de outros fabricantes.
A empresa também observa que a grande capacidade de 24 GB de chips de memória HBM3E permite que os data centers escalem perfeitamente suas cargas de trabalho de IA, seja treinando redes neurais massivas ou acelerando a inferência.
A Micron produz chips de memória HBM3E usando sua tecnologia de processo 1β (1-beta) líder do setor, bem como tecnologia avançada TSV (Through-silicon via) e outras soluções inovadoras de empacotamento de chips. A Micron produzirá seus chips de memória HBM3E nas instalações da TSMC.
A fabricante também anunciou que em março deste ano começará a enviar imagens para fabricantes de chips avançados de memória HBM3E de 12 camadas com capacidade de 36 GB, que fornecerão largura de banda acima de 1,2 TB/s.