A forja de semicondutores taiwanesa TSMC, que hoje é líder no campo de fabricação de chips por contrato, é muito agressiva no desenvolvimento de padrões litográficos avançados. Atualmente, seu investimento em pesquisa e desenvolvimento está alinhado ou excede o da Intel. Isso indica a existência de uma alta demanda por novas tecnologias, o que garante a continuação de uma corrida sem fim por uma densidade crescente de transistores e desempenho.
De acordo com fontes do DigiTimes, a TSMC adquiriu 30 hectares de terra no South Science Science Park para iniciar a construção de suas plantas, que devem começar a produção em massa em 2023, em conformidade com os padrões de 3 nm. A construção de fábricas de 3 nm deve começar em 2020, quando a TSMC estabelecerá as bases para a produção futura.
Espera-se que os padrões de processo de 3 nm sejam puxados pela terceira importante tecnologia de processo TSMC no campo da fotolitografia na faixa ultravioleta profunda do EUV. A primeira geração foi a tecnologia de processo 7 nm +, e a próxima serão as normas de 5 nm (também vale a pena notar que a empresa dominará os padrões intermediários de EUV de 6 e 4 nm).
Lembre-se: A TSMC já embarcou em uma produção arriscada de 5 nm com amplo uso de litografia em ultravioleta profundo (N5), e planeja iniciar a produção em massa no primeiro semestre de 2020. Os primeiros clientes serão fabricantes de sistemas móveis de chip único e HPC. O fabricante de Taiwan observa que seus padrões de 5 nm se tornarão a longo prazo, como anteriormente 7 nm, 16 nm e 28 nm. A TSMC também planeja iniciar uma produção arriscada com os padrões EUV de 6 nm no primeiro trimestre de 2020 e, em seguida, passar para a impressão em massa de chips até o final do ano.
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