Mesmo em condições de baixos preços de memória, os fabricantes não deixam de dominar novos processos tecnológicos, pois permitem reduzir seus próprios custos. Em agosto, a Micron anunciou o início da produção em massa de chips de memória DDR4 de 16 gigabits usando a terceira geração da tecnologia de processo de classe de 10 nm – o chamado “1z nm”. A Samsung possui uma memória disponível apenas em chips de 8 gigabit. Nesta semana, o SK Hynix admitiu superar o marco.
Fonte da imagem: SK Hynix
O fabricante sul-coreano em um comunicado à imprensa relata que concluiu o desenvolvimento da tecnologia de classe 1z nm para o lançamento de chips de memória DDR4 de 16 Gbit. A densidade de memória em uma pastilha de silício em comparação com a geração anterior da tecnologia de processo aumentou 27%, e isso afetará positivamente o custo dessa memória. SK Hynix enfatiza que a litografia com radiação ultravioleta super dura (EUV) não é necessária para liberar memória usando a tecnologia de processo de 1z nm. A Micron também é oponente à introdução iminente do EUV na produção de memória, embora não exclua a possibilidade de adotar essa tecnologia em um determinado estágio.
A SK Hynix está pronta para fornecer sua nova memória a partir do próximo ano, na faixa de até DDR4-3200 inclusive. Como é o caso dos produtos Micron, a atualização do processo nos permitiu reduzir o consumo de energia em 40% em comparação com o chip DDR4 de 8 gigabytes da geração anterior. O fabricante coreano conseguiu usar alguma substância nova na produção de chips de memória que melhora as características capacitivas da memória. Além disso, algumas alterações foram introduzidas para aumentar a estabilidade da memória.
Com o tempo, os chips de memória LPDDR5 e HBM2E, que por algum motivo a SK Hynix prefere designar como “HBM3”, também passarão para um novo estágio da litografia. Segundo o fabricante coreano, o LPDDR5 se tornará uma nova geração de memória para uso em dispositivos móveis.
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