A Intel Corporation há muito tempo lida com o problema da fusão de soluções de semicondutores para transmissão de informações com canais de fibra óptica; esta área foi designada “fotônica de silício”. O governo japonês está pronto para subsidiar pesquisas conjuntas da operadora de telecomunicações NTT, Intel e SK Hynix nesta área, alocando US$ 305 milhões em fundos orçamentários para isso.
Fonte da imagem: Intel
A agência Nikkei informou hoje a decisão tomada pelas autoridades japonesas. A fotônica do silício promete não apenas aumentar a velocidade de transferência de informações, mas reduzir os custos de energia para garantir esse processo. O Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão espera que através de um avanço nesta área, o país seja capaz de obter uma vantagem no mercado internacional e revitalizar a sua indústria de semicondutores. À luz do rápido desenvolvimento dos sistemas de inteligência artificial, a procura de tecnologias de transferência de informação de alta velocidade só irá crescer.
A fotônica de silício permite evitar conversões desnecessárias de sinais ópticos em sinais elétricos, aumentando assim a velocidade de troca de dados e reduzindo o consumo de energia. A participação da SK hynix nestes desenvolvimentos é determinada pela sua especialização no desenvolvimento de chips de memória, agora esta empresa sul-coreana continua a ser o principal fornecedor de memória HBM para aceleradores de computação NVIDIA, que dominam o mercado.
Até 2027, essas empresas esperam trazer ao mercado tecnologia capaz de processar sinais ópticos no nível do silício, bem como tecnologia de memória capaz de operar em velocidades de terabit. A Intel, que já tem alguma experiência nesta área, vai especializar-se em aproximar estas soluções das condições de produção em massa, embora recentemente se tenha desfeito do seu core business. Em termos de consumo de energia, o objetivo é reduzi-lo em 30–40% em comparação com componentes semicondutores tradicionais. A NTT japonesa vem realizando seus experimentos na área de fotônica de silício desde 2019 e já obteve algum sucesso na fase de pesquisa, além de possuir um local experimental para trabalhar com protótipos de dispositivos relevantes.