A Samsung Electronics inicialmente confiou em um canal de transistor completamente cercado por portas (GAAFET) no desenvolvimento de padrões tecnológicos de 3 nm e, ao mesmo tempo, prometeu introduzir a tecnologia na produção em massa quase mais rápido do que seu principal concorrente, a TSMC. Agora, fontes bem informadas informam que o surgimento de produtos seriais de 3 nm no desempenho da Samsung terá que esperar até 2024.
Fonte da imagem: SemiAnalysis
No início de 2019, de acordo com o recurso SemiAnalysis, a Samsung Electronics esperava implementar uma tecnologia de processo de 3 nm na variedade 3GAE até o final de 2020 na fase de produção piloto e, até o final de 2021, passar para a produção em massa. Em comparação com a tecnologia de 7 nm, foi planejado aumentar a velocidade de chaveamento dos transistores em 35%, reduzir o consumo de energia em 50% e a densidade dos transistores aumentar em 45%. As metas estão atualmente revisadas para baixo. Por exemplo, o ganho de velocidade foi reduzido para 10%, o aumento da densidade foi reduzido para 25% e, em termos de consumo de energia, o progresso se deteriorou para 20%.
O aparente atraso na introdução da tecnologia 3nm será compensado pelo surgimento da chamada tecnologia de processo 4nm (4LPP). Além da própria Samsung, ele também será usado pela Qualcomm, para a qual a gigante coreana produzirá componentes semicondutores sob contrato. Um dos vice-presidentes da Qualcomm, em evento organizado pela Applied Materials, anunciou a possibilidade de produtos seriados com tecnologia GAE apenas em 2023, com um horizonte de tempo mais realista no formato 2024. É fácil adivinhar que se tratava da tecnologia de processo 3nm realizada pela Samsung Electronics e uma subsidiária da Samsung Foundry. Para suas próprias necessidades, a gigante coreana começará a usar a tecnologia de processo de 3 nm antes do segundo semestre de 2023. Muito provavelmente, em 2024, a rival TSMC já será capaz de oferecer tecnologia 2nm.
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