Advogados dos EUA brigam com autoridades do Reino Unido pelos direitos chineses sobre a fabricação de semicondutores Newport Wafer Fab

A empresa holandesa Nexperia, com uma certa quantidade de capital chinês, contratou o escritório de advocacia americano Akin Gump para lutar contra a decisão do governo do Reino Unido de bloquear a compra da fábrica de semicondutores Newport Wafer Fab. As autoridades britânicas finalmente bloquearam o negócio em novembro deste ano, alegando a defesa da segurança nacional como o motivo da decisão. Agora, os advogados americanos são encarregados de contestar essa decisão.

Fábrica de semicondutores Newport Wafer Fab. Fonte da imagem: Nexperia

Akin Gump atuará em nome da Nexperia no processo da empresa para revisão judicial da decisão do governo do Reino Unido de bloquear o negócio. Como o sistema judicial do Reino Unido é extremamente complexo, ele não funcionará sem representantes legais locais. Assim, a Nexperia também contratou um advogado britânico, Lord Pannick KC, que ajudará a analisar o pedido de anulação da decisão de bloqueio.

A Nexperia não perde a esperança de que a decisão das autoridades do Reino Unido seja declarada ilegal e a fábrica seja devolvida aos investidores.

Curiosamente, cerca de um ano após a conclusão do acordo para vender Newport Wafer Fab à Nexperia, vários congressistas americanos enviaram uma carta ao Presidente Biden pedindo-lhe para bloqueá-lo, após o que as autoridades do Reino Unido lançaram uma nova investigação, que levou ao suspensão do negócio. A decisão final veio em novembro e foi inflexível: a Nexperia foi obrigada a vender o controle acionário, possivelmente até mesmo para os antigos proprietários.

As ações das autoridades do Reino Unido, alertam na Nexperia, colocam em risco a produção e o destino de 600 funcionários da empresa localizada no País de Gales. Mas os britânicos temem que por trás da Nexperia esteja a empresa chinesa Wingtech Technology, que, graças à fábrica de Newport Wafer Fab, ganhou acesso à produção de semicondutores de gap largo à base de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC). Esta produção de elementos de potência avançados e elementos para a faixa de rádio de alta frequência é agora o que todos precisam.