Cientistas dos Estados Unidos propuseram uma tecnologia para criar transistores com características potencialmente melhores do que as soluções atuais. Isso pode fornecer maior desempenho do processador, mesmo na era do “fim do processo”. A ideia de tal transistor foi espionada a partir de lasers em cascata quântica e já entrou com um pedido de patente.
Fonte da imagem: Tillmann Kubis
Em 1971, na revista “Física e Tecnologia de Semicondutores”, os físicos soviéticos Kazarinov e Suris em seu artigo “Possibilidades de amplificação de ondas eletromagnéticas em semicondutores com superrede” propuseram a ideia de que quando um fluxo de elétrons passa por uma estrutura heterogênea, eletromagnética as ondas são amplificadas, o que possibilitará a geração de radiação laser a partir do baixo consumo de energia. Em tal “massa folhada”, o sinal é amplificado sem a manifestação de efeitos de tunelamento, que são mais fáceis de controlar.
Um grupo de cientistas da Purdue University em Indiana sugeriu que o princípio de amplificação do transporte de elétrons através da superrede também funcionaria para os transistores se a superrede – uma “zebra” de materiais semicondutores alternados – fosse colocada no caminho do fluxo de elétrons de um portão para outro. Foi assim que nasceu o conceito do transistor de efeito de campo em cascata CasFET.
Teoricamente, o transistor CasFET operará com correntes de chaveamento de estado extremamente baixas, o que aumentará significativamente a eficiência energética do dispositivo. É verdade que os cientistas ainda não fizeram um único transistor para estudar suas características na prática. Mas o pedido de patente já foi depositado e os fabricantes interessados podem buscar orientação.