A SK hynix anunciou o lançamento da produção em massa de memória 4D NAND de 238 camadas em maio, que será a base para SSDs de próxima geração com maior velocidade e capacidade. Os novos chips fornecem taxas de transferência de dados de 2.400 MT/s, estabelecendo a base para SSDs PCIe 5.0 x4 de alto desempenho com velocidades sequenciais de leitura/gravação de 12 GB/s ou mais.
Fonte da imagem: skhynix.com
A velocidade da interface de 2400 MT/s é talvez o indicador chave para os chips TLC NAND de 238 camadas da SK hynix – é 50% mais rápido que a interface dos chips da geração anterior, que a 1600 MT/s dificilmente pode atingir o potencial do PCIe 5.0×4. A eficiência de custo dos componentes é aumentada em 34% em comparação com as contrapartes de 176 camadas: se assumirmos que o fabricante conseguiu fornecer rendimentos comparáveis, então, com chips TLC NAND de 238 camadas, o custo por gigabyte diminuirá nos mesmos 34%. Além de reduzir o tamanho físico dos dispositivos acabados, o consumo de energia de leitura de memória da próxima geração é reduzido em 21%.
A designação de marketing proposta pelo fabricante para os novos chips como 4D NAND na verdade significa que eles usam tecnologia de célula com uma armadilha de carga (Charge Trap Flash – CTF) e o layout patenteado do fabricante com a transferência de lógica sob uma matriz de células (Peripheral Under Cells – PUC). Os produtos acabados baseados em chips NAND de 238 camadas serão lançados no mercado como discos rígidos para smartphones, após o que serão usados em outros dispositivos. SK hynix acrescentou que os produtos de próxima geração começarão a ter impacto nas receitas da empresa no segundo semestre do ano.