SK hynix implementa o primeiro scanner EUV de alta NA para fabricação avançada de memória

O uso de scanners litográficos EUV de alta NA é mais amplamente relatado no contexto da fabricação de circuitos integrados em geral e é considerado menos relevante para a fabricação de chips de memória, mas isso não significa que essa migração de equipamentos não esteja acontecendo. A SK Hynix, por exemplo, relatou recentemente a instalação de seu primeiro scanner ASML TwinScan EXE:5200B, que a ajudará a fabricar chips de memória avançados no futuro.

Fonte da imagem: ASML

A primeira cópia deste caro sistema de litografia ASML foi instalada na fábrica M16 em Icheon, Coreia do Sul. De acordo com a SK hynix, tal scanner é capaz de reduzir o tamanho dos transistores reproduzidos em wafers de silício em 1,7 vezes e aumentar sua densidade de posicionamento em 2,9 vezes em comparação com os sistemas EUV existentes. A SK hynix começou a usar equipamentos EUV em geral em 2021, mas não foi especificado quando planeja começar a usar scanners EUV de alta resolução na produção em massa. O valor numérico da abertura ao alternar entre uma geração de equipamento para outra pode variar de 0,33 a 0,55.

Como o The Financial News observa de passagem, a rival Samsung Electronics também está de olho no equipamento relevante e instalou o scanner ASML TwinScan EXE:5000 em sua fábrica em Hwaseong em março deste ano. Este modelo está um passo abaixo do instalado pela SK Hynix e é mais frequentemente utilizado por fabricantes de chips para pesquisa e experimentação. Para a Samsung, o uso de equipamentos EUV de alta NA também é de particular importância na fabricação de chips sob contrato. A empresa planeja dominar a produção de produtos de 1,4 nm até 2027, mas ainda não foi definido se isso exigirá scanners de nova geração. A Samsung não tem pressa em implementá-los na produção de chips de memória.