A SK hynix pretende iniciar a produção em massa de memória flash 3D NAND de 375 camadas até o final do ano.

Os avanços na tecnologia de memória de estado sólido são importantes porque permitem aumentar a densidade de armazenamento. A sul-coreana SK Hynix, segundo o The Elec, planeja iniciar a produção em massa de memória 3D NAND avançada de 375 camadas até o final deste ano.

Fonte da imagem: SK hynix

A empresa já concluiu a verificação das tecnologias relevantes e iniciou os preparativos para a ampliação da produção em massa. Para dominar a produção de NAND 3D de 375 camadas, a fabricante não planeja construir uma nova fábrica. Em vez disso, modernizará as linhas de produção existentes no complexo M15 em Cheongju, que atualmente são utilizadas para fabricar memórias NAND 3D com 176, 238 e 321 camadas, respectivamente.

Os planos da SK hynix para memórias de 375 camadas incluíam uma classe de 400 camadas. O número de camadas foi reduzido à medida que a implementação se aproximava, devido aos desafios de fabricação que inevitavelmente surgem nesse setor com o aumento do número de camadas nos chips de memória. No entanto, a SK hynix planeja aumentar o número de camadas para 480 e 604, respectivamente, no futuro.

Uma das inovações na produção de memórias de 375 camadas será a utilização de filme de molibdênio em vez de tungstênio nos eletrodos de porta metálicos. À medida que o número de camadas aumenta, a resistência elétrica do tungstênio também aumenta, retardando a transmissão do sinal. Nessas condições, o molibdênio apresenta menor resistência, permitindo uma transmissão de sinal mais rápida e maiores velocidades de gravação e apagamento de dados. A aplicação de um revestimento de tungstênio também requer uma camada adicional, o que aumenta a espessura da estrutura, enquanto o molibdênio elimina essa necessidade e aumenta a densidade do chip.

O uso de molibdênio apresenta certos desafios tecnológicos, visto que ele existe em estado sólido.O molibdênio é usado como matéria-prima à temperatura ambiente, mas precisa ser aplicado sob calor. A concorrente Samsung Electronics passou a usar molibdênio em abril de 2024, na produção de memória 3D NAND de 286 camadas. No segundo semestre deste ano, a Samsung planeja iniciar a produção em massa de memória com mais de 400 camadas. O uso de molibdênio será mais extenso do que o planejado inicialmente.

A Samsung prefere equipamentos da empresa americana Lam Research para a deposição de molibdênio, enquanto a SK hynix planeja usar equipamentos da empresa japonesa Tokyo Electron. No primeiro caso, apenas um wafer de silício é processado por vez, enquanto o equipamento japonês pode processar 100 wafers simultaneamente em um forno especial. Isso não só é mais compacto e menos caro, como também permite um uso mais eficiente do molibdênio. Air Liquide, Entegris e Merck KGaA planejam fornecer matéria-prima para a SK hynix, com a SK Specialty entre as candidatas coreanas.

A demanda por molibdênio neste setor deverá aumentar. A SK hynix planeja inicialmente consumir até 4 toneladas de matéria-prima por ano, enquanto a Samsung precisará de 10 toneladas de molibdênio somente neste ano. No próximo ano, a demanda da Samsung aumentará para 25 toneladas e, até 2030, chegará a 80 toneladas. Os fabricantes de memória 3D NAND consideram mais lucrativo aumentar a produção de memórias mais caras e com maior capacidade do que simplesmente expandir a capacidade produtiva, e a estratégia da SK hynix nessa área está alinhada a esse princípio.