A SK hynix acelera o cronograma de entrega de amostras de HBM4E para acompanhar a Samsung.

No final de maio, a Samsung Electronics anunciou o início do envio de amostras de memória HBM4E, superando assim sua principal concorrente, a SK Hynix, que não conseguiu igualar durante o ciclo de vida da HBM3E. Isso claramente desagradou a SK Hynix, que pretende começar a enviar suas amostras de HBM4E antes do prazo previsto.

Fonte da imagem: SK hynix

De acordo com a mídia sul-coreana, a SK hynix inicialmente previa começar a enviar amostras de HBM4E no segundo semestre do ano, mas agora está trabalhando para iniciar os envios ainda este mês ou, no máximo, em julho. Formalmente, isso implica uma ligeira aceleração dos envios em comparação com o cronograma original. Considerando que o próprio HBM4E requer extensa personalização da memória, o fornecimento antecipado de amostras é necessário para acelerar os envios em grande volume no futuro.

O HBM4E provavelmente será usado na série de aceleradores Rubin Ultra da Nvidia, que chegará ao mercado no próximo ano. Cada GPU poderá acomodar até 384 GB de memória HBM4E, aumentando a demanda geral por esses chips. A SK hynix planeja usar a tecnologia de processo 1c para os chips DRAM e a tecnologia de processo de 3 nm da TSMC para os chips base de seu HBM4E. Em comparação, a Samsung Electronics é capaz de produzir HBM4E inteiramente internamente, mas planeja fabricar o silício base usando um processo de 4 nm mais maduro. Ambas as empresas estão prontas para oferecer HBM4E em uma configuração de 12 camadas com taxas de transferência de dados de 14 a 16 Gbps por pino. Uma única pilha HBM4E pode conter até 48 GB de memória.