Os fabricantes estão aprimorando as tecnologias para produzir não apenas memória RAM, mas também memória de estado sólido. A SanDisk, uma das principais desenvolvedoras de HBF (High-Frequency Memory), planeja construir uma linha de produção piloto para esse tipo de memória no Japão até o final deste ano, com o início da produção em escala industrial previsto para 2027.
Fonte da imagem: Sandisk
De acordo com o ETNews, a empresa já iniciou a busca por materiais, componentes e equipamentos para a produção de HBF, um novo tipo de memória flash NAND (NAND) que utiliza um sistema de empilhamento vertical semelhante ao HBM. Uma linha piloto no Japão poderá ser instalada no próximo semestre, e a Sandisk espera receber as primeiras amostras de HBF até o final do ano. Se tudo correr conforme o planejado, a Sandisk poderá iniciar a produção em massa de memória flash HBF aproximadamente seis meses antes do previsto.
A produção de HBF utilizará alguns dos mesmos equipamentos da memória flash HBM, bem como certas tecnologias. Portanto, encontrar fornecedores de materiais e equipamentos para a produção de HBF deverá ser relativamente simples. Fabricantes de memória chineses também estão se preparando para iniciar a produção de memória flash HBF, o que promete uma competição acirrada no mercado. A Sandisk conta com o apoio de sua concorrente SK Hynix na padronização da memória flash HBF. A demanda por memória flash HBF deve atingir seu pico em 2030. A Samsung Electronics, que trabalha no desenvolvimento da memória HBF desde o início desta década, também manifestou interesse em produzi-la. No entanto, diferentemente da SK hynix, essa fabricante sul-coreana ainda não se apressou em fazer declarações definitivas sobre o cronograma de lançamento da HBF no mercado.
Acredita-se que a HBF permitirá o armazenamento de grandes quantidades de dados próximas à GPU, acelerando o processamento de modelos de IA em tarefas de inferência. Embora a HBF seja inferior à HBM em termos de desempenho, ela oferece até 16 vezes mais capacidade. Essencialmente, uma pilha HBF de 16 camadas pode armazenar até 512 GB de dados. Se a GPU estiver cercada por oito dessas pilhas, a capacidade de memória aumenta para 4 GB.Tbyte. A demanda por essas soluções aumentará à medida que o campo da inteligência artificial passar do treinamento de grandes modelos de linguagem para a inferência.