A Samsung, maior fabricante mundial de chips de memória, desenvolveu o primeiro protótipo de chip de memória com 900 camadas do mundo, segundo reportagem da ETNews. O projeto visa consolidar a liderança da gigante coreana de tecnologia nesse segmento.
Fonte da imagem: Samsung
O protótipo utiliza a tecnologia Cell Multi-Bonding (CMB), que permite a colocação de dois wafers de células de 450 camadas em um único chip. A estrutura multicamadas da memória flash aumenta a densidade de armazenamento de dados e ajuda a reduzir o consumo de energia. Essas configurações são consideradas vantajosas para cargas de trabalho de inteligência artificial.
A SK hynix é considerada a líder global em chips NAND multicamadas, com chips de 321 camadas. Mas a Samsung está claramente ganhando uma posição mais forte: está se preparando para a produção em massa de chips NAND de 400 camadas, tendo atingido a marca de 900 camadas em sua fase de pesquisa.
A Samsung foi a primeira empresa do mundo a comercializar chips 3D V-NAND em 2013. Inicialmente, utilizava um processo de fabricação que envolvia perfuração e empilhamento de componentes em uma única etapa. No entanto, à medida que as alturas de empilhamento aumentavam, enfrentava problemas como empenamento do wafer e desalinhamento de camadas. Esses desafios foram resolvidos com um design de fixação superior aprimorado e tecnologia de correção de empilhamento.
A Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) da China está reduzindo rapidamente a diferença para a Samsung e a SK hynix; ela já estabeleceu a produção em massa de chips NAND de 294 camadas. Isso foi facilitado por investimentos governamentais significativos e pelo aumento da nacionalização dos equipamentos de produção. A crescente concorrência levou a Samsung a acelerar o desenvolvimento da tecnologia de memória de 900 camadas para manter sua vantagem a longo prazo.