Samsung e SK Hynix estão trabalhando para reduzir o consumo de energia da RAM

Quanto mais ativamente os sistemas AI são introduzidos, mais importante se torna o papel da memória HBM e DDR5 e, em particular, sua eficiência energética. Por exemplo, em sistemas baseados em NVIDIA A100 de grande escala, a memória pode representar até 40% da energia consumida. Não é de surpreender que os principais fabricantes de memória estejam unindo forças com a academia para desenvolver memórias de última geração e mais econômicas.

Em particular, a Samsung já desenvolveu chips DDR5 com capacidade de 16 GB baseados em tecnologia de processo CXL e 12nm, que é 23% mais econômico que chips similares da geração anterior. Em cooperação com a Universidade Nacional de Seul, a Samsung continua trabalhando para reduzir ainda mais o consumo de energia. A própria universidade também está realizando pesquisas nessa direção e já desenvolveu uma nova tecnologia DRAM Translation Layer. Espera-se que sua implementação ajude a reduzir o consumo de energia DRAM em mais 31,6%.

Fonte: SK Hynix

Não muito atrás da Samsung está outro grande fabricante de dispositivos de memória, SK Hynix. Ela introduziu uma nova geração de LPDDR5X, que usa a tecnologia de processo High-K Metal Gate (HKMG). Graças ao material com constante dielétrica otimizada, foi possível aumentar em cinco vezes a carga da célula, reduzindo as correntes de fuga. Como resultado, a nova memória LPDDR5X da SK Hynix apresenta desempenho 33% maior com economia de 20% no consumo de energia em comparação com a geração anterior.