De acordo com a publicação coreana News Daily, a Samsung Electronics anunciou que aumentou os preços contratuais para chips de memória DRAM em 15-30% e para memória flash NAND em aproximadamente 5-10% em resposta a uma deterioração perceptível no equilíbrio entre oferta e demanda no mercado.
Fonte da imagem: Samsung
A Samsung teria notificado seus principais clientes sobre os novos termos de compra contratual para chips de memória para o quarto trimestre deste ano. A empresa ajustou os preços em meio a uma redução gradual na produção de gerações mais antigas de memória e a um aumento simultâneo na demanda por memória de provedores de serviços de nuvem em hiperescala, fabricantes de PCs com IA e fabricantes de smartphones emblemáticos.
Concorrentes da Samsung, como SK Hynix e Micron, também anunciaram ajustes semelhantes: vários fornecedores notificaram os clientes sobre aumentos de preços de dois dígitos e prazos para novos fornecimentos. Os clientes já estão enfrentando pressão de preços nos segmentos de servidores e chips de armazenamento móvel. Para os fornecedores, esta foi uma decisão tática para redirecionar a produção para linhas de produtos de próxima geração mais lucrativas.
A Samsung teria aumentado os preços contratuais para chips DRAM LPDDR4X, LPDDR5 e LPDDR5X, bem como para formatos NAND embarcados, como eMMC e UFS. Enquanto isso, a escassez de memória DDR4 também elevou brevemente os preços à vista. Alguns analistas acreditam que o aumento nos preços de contato para chips de memória desempenhará um papel significativo no aumento do lucro de curto prazo da Samsung de 2,9 trilhões de wons sul-coreanos (aproximadamente US$ 2,085 bilhões) para mais de 6 trilhões de wons sul-coreanos (aproximadamente US$ 4,3 bilhões).
A reorientação da capacidade para a produção de chips DDR5 e HBM e a priorização de produtos usados em aceleradores de IA estão limitando o fornecimento de DRAM para o consumidor. Em meio ao declínio na produção de gerações de memória mais antigas, a Samsung também está acelerando.desenvolvimento de chips de memória do novo padrão LPDDR6.