ASML, com sede na Holanda, anunciou a criação das primeiras amostras de semicondutores usando seu primeiro scanner de litografia ultravioleta ultrarrígido com óptica de projeção de abertura numérica alta de 0,55 (High-NA EUV). O evento é um marco importante não apenas para ASML, mas também para a tecnologia High-NA EUV como um todo.
Fonte da imagem: ASML
«Nosso sistema EUV de alto NA em Veldhoven imprimiu as primeiras linhas de 10 nanômetros do mundo. A renderização foi feita depois que a óptica, os sensores e os estágios passaram por um processo de calibração aproximado. Em seguida, planejamos levar o sistema ao desempenho máximo e obter os mesmos resultados em campo”, afirmou a ASML em comunicado.
Atualmente, a ASML criou apenas três sistemas de litografia EUV de alto NA. Um é montado na sede da ASML em Veldhoven (Holanda), o outro é montado na fábrica americana D1X da Intel, perto de Hillsboro, Oregon. O terceiro será montado no Imec, um importante instituto de pesquisa de semicondutores na Bélgica.
A ASML parece ser a primeira empresa a anunciar a produção bem-sucedida de uma amostra usando o sistema de litografia High-NA EUV, o que é um marco significativo para toda a indústria de semicondutores. A ASML pretende usar seu scanner Twinscan EXE:5000 apenas para pesquisa e aprimoramento da tecnologia.
Por sua vez, a Intel planeja usar o Twinscan EXE:5000 para aprender como usar a litografia EUV com alta abertura numérica para produção em massa de chips. O scanner será usado para projetos de P&D usando sua tecnologia de processo proprietária Intel 18A (classe de 1,8 nm). Mas o scanner de próxima geração, Twinscan EXE:5200, está planejado para ser usado na produção de chips de acordo com a tecnologia de processo 14A (classe de 1,4 nm).
O scanner ASML Twinscan EXE:5200, equipado com óptica de abertura numérica de 0,55, foi projetado para depositar recursos de chip com resolução de 8 nm, uma melhoria significativa em relação aos sistemas EUV atuais que fornecem resolução de 13 nm. A nova tecnologia reduz o tamanho do transistor em um fator de 1,7 e aumenta a densidade do transistor em um fator de 2,9 por exposição em comparação com instrumentos EUV de baixo NA.
Os scanners de baixo NA também podem atingir esse nível de resolução, mas exigem o método de padrão duplo, mais caro. A transição para sistemas com litografia EUV de alto NA é necessária para a produção de chips de acordo com padrões abaixo de 3 nm, cuja produção em massa está prevista para começar em 2025-2026. O uso da litografia EUV de alto NA elimina a necessidade de duas passagens com dois modelos, otimizando assim os processos de produção, aumentando potencialmente a produtividade e reduzindo os custos de produção. Por outro lado, os instrumentos com NA elevado custam até 400 milhões de dólares cada e apresentam desvantagens que dificultam a transição para processos mais avançados.