Em meio à crescente demanda do mercado por memória de alto desempenho para IA, a Samsung decidiu retomar o investimento na criação de uma linha de produção de chips de memória DRAM de 6ª geração em sua fábrica P4 em Pyeongtaek, com o objetivo de iniciar a produção em massa de tais chips em junho de 2025. escreve a publicação sul-coreana ETNews.
Fonte da imagem: TrendForce
A fonte afirma que a DRAM de 6ª geração, também conhecida como “1c”, será fabricada usando uma tecnologia de processo de classe de 10 nm. Além da Samsung, seu concorrente sul-coreano SK hynix também planeja produzir essa memória em massa.
De acordo com a ETNews, a Samsung queria iniciar a construção de uma nova oficina P4 em sua fábrica em Pyeongtaek em 2022 e originalmente iria lançá-la em 2024. Porém, tendo concluído a construção da unidade de produção e dotada da infraestrutura necessária, a empresa não equipou a nova linha com equipamentos de produção. Devido à menor procura no mercado de semicondutores, a Samsung cortou custos reduzindo a capacidade disponível.
No segundo semestre do ano passado, o mercado de semicondutores começou a se recuperar, então em meados do ano a Samsung voltou a investir em novos projetos. A empresa começou a instalar equipamentos para produzir memória flash NAND nas instalações P4, anteriormente não utilizadas, e agora confirmou planos de investir na produção de memória DRAM de 6ª geração, escreve ETNews.
A Samsung vai lançar lotes de teste de 1c DRAM até o final deste ano, afirma a fonte. Também é relatado que o fabricante está considerando lançar uma linha de produção para a produção de chips de memória HBM4 usando tecnologia 1c DRAM no segundo semestre de 2025.
Fonte da imagem: TrendForce
Os analistas da TrendForce prevêem que as receitas da indústria de memória DRAM e NAND crescerão 75% e 77%, respectivamente, este ano, impulsionadas pela crescente demanda por bits em meio ao boom geral da IA. Os especialistas também acreditam que a fábrica Samsung P4L se tornará uma fonte importante para a produção de chips de memória de alta capacidade. De acordo com suas estimativas, a nova linha de produção para produção de DRAM será instalada em meados de 2025, e a produção em massa de novos chips começará em 2026.