Hoje, a importância dos layouts espaciais tridimensionais é falada por todos os desenvolvedores e fabricantes de produtos semicondutores – da Intel e AMD ao TSMC. Para apoiar a regra de ouro, chamada Lei de Moore, os microprocessadores e microcircuitos devem “crescer”, pois as possibilidades de aumentar a densidade de transistores na dimensão planar já estão se esgotando. O tipo de memória HBM inicialmente se beneficiou do layout vertical e, nesta semana, a Samsung Electronics anunciou uma nova inovação na fabricação desses chips.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
A gigante sul-coreana informou sobre a conclusão do desenvolvimento da tecnologia para a criação de microcircuitos de 12 camadas, o que é um progresso significativo em comparação aos microcircuitos de memória de 8 camadas existentes, como o HBM2. Agora, a capacidade máxima de um microcircuito de oito camadas produzido em massa é de 8 GB. Após dobrar a capacidade de cada camada e mudar para um layout de 12 camadas, a capacidade máxima do microcircuito pode ser aumentada para 24 GB. É importante que a altura do chip de memória permaneça a mesma – 720 mícrons ou 0,72 mm.
A distância entre as camadas diminuirá, o que não apenas melhorará o consumo de energia, mas também aumentará a velocidade da transferência de informações. Cada camada do microcircuito possui 60 mil orifícios microscópicos para conexões entre camadas, o diâmetro do orifício não excede um vigésimo da espessura de um cabelo humano. Após as primeiras tentativas de usar a memória HBM2 em placas gráficas de consumo intermediário, os microcircuitos correspondentes estão destinados a criar raízes no segmento de aceleração de computação e inteligência artificial, uma vez que o uso de memória rápida, porém cara, se justifica economicamente aqui.
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