A Micron anunciou o início da produção em massa de chips de memória DDR4 de 16 Gb usando a terceira geração da tecnologia de processo de classe de 10 nm (1z). Supõe-se que este possa ser um processo tecnológico com padrões tecnológicos de 13 nm. A própria Micron não especifica esses dados. A Samsung também possui a produção de memória DDR4 usando a terceira geração da tecnologia de processo da classe de 10 nm, mas até agora dominou o lançamento de chips DDR4 de 8 Gbps. Aparentemente, a Micron possui os chips DDR4 mais densos da indústria atualmente.
A transição para padrões tecnológicos mais sofisticados permitiu aumentar o desempenho da memória e reduzir o consumo. A Micron não divulga a taxa de câmbio para cada contato do barramento de dados para a nova memória DDR4 de 16 Gbit, mas na versão LPDDR4X a velocidade será de até 4266 Mbit / s com uma redução simultânea no consumo de 10% comparada à memória da geração anterior no processo de fabricação 1y. O consumo de chips DDR4 de 16 Gbit no processo 1z será 40% menor do que no caso do consumo de chips DDR4 de 8 Gbits no processo 1y. Haverá mais memória nos dispositivos, mas será menos aquecida.
Como você já entendeu, usando a terceira geração da tecnologia de processo da classe de 10 nm, a Micron também lançou os chips LPDDR4X para smartphones, o que permitirá equipar os dispositivos móveis com memória interna de até 16 GB. Mais tarde, usando a tecnologia de processo 1z, a empresa lançará o lançamento da memória GDDR6. A memória atualizada será requisitada, entre outras coisas, para sistemas com elementos de inteligência artificial, em pilotos automáticos de máquinas, em dispositivos conectados a redes 5G e na tecnologia tradicional de computadores.
Para plataformas móveis que usam cristais de memória de geração de 1z, a Micron lançou o lançamento de módulos uMCP4 com interface UFS. Juntamente com a memória flash em tais montagens de caixa única, o bloco de memória LPDDR4X é oferecido. A empresa oferece módulos uMCP4 em configurações de 64 GB + 3 GB a 256 GB + 8 GB. Reduzir o processo de fabricação de memória e módulos é potencialmente capaz de reduzir as dimensões dos smartphones e aumentar a duração da bateria dos dispositivos.
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