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China terá seu próprio material fotossensível para a tecnologia de processo de 7 nm

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A China continua avançando no sentido de reduzir a dependência de matérias-primas e componentes importados no campo da produção de semicondutores. Um novo passo nessa direção foi o desenvolvimento do fotorresistente doméstico – um material sem o qual é impossível transferir o padrão do circuito eletrônico para um cristal de silício. O novo material é tão bom que pode ser usado para a tecnologia de processo de 7 nm.

A conclusão da pesquisa e desenvolvimento para criar um fotorresiste altamente sensível foi relatada por Nata Opto, de Jiangsu. O novo material fotossensível criado nos laboratórios da empresa ajudará na transição para materiais domésticos no caso de produção com padrões tecnológicos de 28 a 7 nm. Antes disso, um fotorresiste era produzido na China, adequado apenas para a produção de chips com normas de 436 e 365 nm.
Para processos técnicos mais avançados, os fabricantes chineses, por exemplo, SMIC e YMTC, compram fotorresiste de empresas japonesas e americanas. Cinco fabricantes dos EUA e do Japão possuem 85% do mercado mundial de fotorresistemas, e o material para litografia EUV é produzido exclusivamente pelos japoneses, que até afetaram os fabricantes sul-coreanos.
No entanto, para empresas chinesas, o fotorresistente para a litografia EUV será necessário em breve. Em qualquer caso, em quantidades de mercadorias. Mas o fotorresiste para a produção de chips na faixa de 28 a 7 nm pode substituir o importado, embora isso aconteça em cerca de três anos. Atualmente, o desenvolvedor está começando a fornecer fotorresiste aos clientes para testes. Se tudo correr bem, em três anos a Nata Opto planeja produzir até 25 toneladas de fotorresiste por ano para lasers de excimer ArF de 193 nm para projeção a seco e imersão com placas de imersão em líquido.
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