A Samsung Electronics anunciou em um comunicado de imprensa recente que começou a produção em massa de 3D NAND com mais de 100 camadas. A configuração máxima possível permite o lançamento de chips com 136 camadas, o que se torna um novo marco no caminho para uma memória flash NAND 3D mais densa. A falta de uma configuração clara de memória indica que o chip com mais de 100 camadas é montado a partir de dois ou, mais provavelmente, de três cristais NAND 3D monolíticos (por exemplo, de um de 48 camadas). No processo de ligação de cristal, parte das camadas limite é destruída, e isso torna impossível indicar com precisão o número de camadas no cristal, para que a Samsung não seja posteriormente acusada de imprecisões.
Uma NAND 3D de 96 camadas pode ser composta de dois cristais 3D NAND de 48 camadas e uma camada de 144 (defeitos de 136 camadas incluídos) de três
No entanto, a Samsung insiste em uma gravação única de cristais (gravação em buracos no canal), que abre a capacidade de perfurar a espessura de uma estrutura monolítica e combinar matrizes horizontais de memória flash em um único chip de memória. Os primeiros produtos de 100 camadas foram chips 3D NAND TLC de 256 Gb. A empresa começará a produzir chips de 512 Gb com 100 (+) camadas no próximo outono.
A recusa em liberar uma memória mais ampla é ditada pelo fato (provavelmente) de que o nível de casamento com o lançamento dos produtos mais recentes é mais fácil de controlar no caso de uma memória com menor capacidade. Devido ao “aumento do número de andares”, a Samsung conseguiu produzir um chip de uma área menor, sem perder capacidade. Além disso, o chip tornou-se um pouco mais fácil, porque agora, em vez de 930 milhões de furos verticais em um monolito, é suficiente gravar apenas 670 milhões de furos. Segundo a Samsung, isso simplificou e encurtou os ciclos de produção e permitiu aumentar a produtividade do trabalho em 20%, o que significa mais e mais barato.
Com base na memória de 100 camadas, a Samsung lançou um SSD SATA de 256 GB. Os produtos serão enviados para fabricantes de PCs OEM. Não há dúvida de que a Samsung em breve introduzirá unidades de estado sólido confiáveis e relativamente baratas.
A primeira NAND 3D de 100 camadas da Samsung atingiu o enorme SSD de 256GB
A transição para uma estrutura de 100 camadas não nos forçou a sacrificar o desempenho e o consumo de energia. O novo TLC NAND 3D de 256 Gbits em geral foi 10% mais rápido que a memória de 96 camadas. O design aprimorado da eletrônica de controle do chip tornou possível manter a taxa de transferência de dados no modo de gravação abaixo de 450 μs e no modo de leitura abaixo de 45 μs. Ao mesmo tempo, o consumo foi reduzido em 15%. O mais interessante é que, com base na NAND 3D de 100 camadas, a empresa promete lançar a próxima NAND 3D de 300 camadas simplesmente encaixando três cristais de 100 camadas condicionalmente monolíticos. Se a Samsung puder iniciar a produção em massa de NAND 3D de 300 camadas no próximo ano, será um pontapé doloroso para os concorrentes e para a emergente indústria flash na China.
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