A ASML está se preparando para a adoção em massa da tecnologia EUV de alta NA no próximo ano para chips de 1,4 nm e mais finos.

A necessidade de maior miniaturização dos componentes semicondutores está forçando os fabricantes a migrarem para métodos de fabricação mais avançados. Do ponto de vista da litografia, a indústria está prestes a dar mais um passo importante nessa direção nos próximos dois anos, iniciando a produção de chips utilizando equipamentos de litografia EUV de alta NA.

Fonte da imagem: ASML

Uma alta abertura numérica de 0,55 permite que esse tipo de equipamento produza detalhes de até 8 nm em uma única passagem, utilizando a tecnologia ultravioleta de alta resolução (EUV). Esse equipamento abre caminho para a produção em massa de circuitos integrados utilizando processos de 1,4 nm e chips de memória DRAM utilizando processos abaixo de 10 nm.

De acordo com a ASML, fabricante de equipamentos para a produção de chips EUV de alta NA, seus primeiros clientes nessa área devem ser a Intel, a Samsung e a SK Hynix. Aparentemente, a TSMC, a maior fabricante terceirizada de chips, ainda não está preparada para a adoção em massa desse equipamento por razões econômicas, já que um único sistema EUV de alta NA custa US$ 380 milhões. A TSMC não planeja utilizar esse equipamento para a produção de chips de 1,4 nm.

Em dezembro do ano passado, a Intel anunciou que já havia encomendado o scanner ASML Twinscan EXE:5200B, que será utilizado para a produção em série de chips utilizando a tecnologia 14A da Intel. Os equipamentos e ferramentas associados também precisam ser adaptados aos novos padrões de processo, portanto, nem tudo depende exclusivamente dos scanners litográficos da ASML.

Segundo a mídia sul-coreana, a Samsung Electronics também recebeu seu primeiro scanner Twinscan EXE:5200B em dezembro do ano passado, e o segundo será entregue neste semestre. Este equipamento será útil para a fabricação sob contrato dos processadores Exynos 2600 de 2 nm da Samsung e dos futuros processadores da Tesla, que serão fabricados sob contrato para a montadora.A concorrente SK hynix utiliza o equipamento EUV de alta NA da ASML desde setembro do ano passado. Litografia EUV convencionalA empresa começou a usar essa tecnologia para a produção de DRAM em 2021. A SK hynix planeja usar pelo menos cinco camadas EUV por chip na produção de memórias utilizando o processo de 10nm de sexta geração. A American Micron Technology ainda não definiu o cronograma ou a viabilidade da implementação da tecnologia EUV de alta NA (Navegação Aberta).

A jovem startup japonesa Rapidus está apenas começando a dominar a produção de 2nm, mas pretende lançar a produção de chips de 1,4nm em uma futura fábrica no Japão a partir de 2029. Até o final de 2027, a empresa espera iniciar a produção em massa de chips de 2nm na ilha de Hokkaido. A cautela em relação à implementação de equipamentos de produção de chips mais caros é compreensível, já que os custos de aquisição serão repassados ​​ao custo de produção, e os consumidores finais terão que arcar com esses custos. No geral, a nova geração de scanners litográficos da ASML para a produção em massa de produtos semicondutores avançados começará a ser utilizada em 2027-2028.