Acredita-se comumente que a competição entre a TSMC e a Samsung Electronics no mercado de fabricação por contrato de semicondutores foi uma corrida no campo de processos técnicos avançados, mas a pandemia colocou os participantes do mercado em novas condições. A gigante coreana agora não tem objeções à expansão das instalações usando litografia madura.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
A mudança no rumo da Samsung Electronics é relatada pela Business Korea, citando um relatório de representantes da empresa resumindo os resultados de 2021. O documento observa que, a médio e longo prazo, a empresa pretende expandir sua capacidade de produção contratada utilizando litografia madura. Mais fundos para essas necessidades serão alocados este ano. No ano passado, a Samsung gastou um recorde de US$ 39 bilhões na construção e atualização de negócios, um quarto de seus principais gastos em comparação com 2020.
A Samsung também oferecerá novos estágios de transição de processos maduros que atrairão clientes com suas otimizações. Em outubro passado, por exemplo, a empresa introduziu um processo de fabricação de transistor FinFET de 17nm que poderia ser usado para fazer sensores de imagem e drivers de exibição. No caso da TSMC, processos técnicos de 16 nm e “mais espessos” no final de 2021 formavam metade da receita da empresa, para a Samsung Electronics havia um viés para a litografia avançada. Assim, a gigante coreana controlava 40% do mercado de serviços de fabricação de chips usando 10 nm e processos técnicos mais “finos”, mas era significativamente inferior aos concorrentes no campo da litografia madura.
A Samsung Electronics não perde a esperança de atrair até 300 clientes para seus serviços até 2026, ao longo do caminho, triplicando o volume de fabricação por contrato de chips em relação a 2017. No campo da litografia avançada, a empresa também está tentando acompanhar a TSMC e a Intel, iniciará a produção em massa de produtos de 3 nm com estrutura de transistor GAA no atual semestre e, em 2025, dominará o produção em massa de chips usando tecnologia de 2 nm com uma estrutura de transistor GAA ( obturador envolvente) de terceira geração.