Dentro da tecnologia de processo 3nm, a Intel pode superar significativamente os concorrentes em densidade de transistores

Não existe uma classificação unificada de padrões litográficos na indústria de semicondutores, e isso permite que os participantes do mercado atribuam arbitrariamente uma determinada tecnologia de processo a uma determinada classe. A Intel, por exemplo, afirma que sua tecnologia de processo de 10 nm é geometricamente equivalente à tecnologia de processo de 7 nm da TSMC. No caso da tecnologia 3nm, a superioridade da Intel em densidade de transistores sobre a Samsung será triplicada.

Fonte da imagem: TSMC

Colley Hwang, presidente da DigiTimes Ásia, chega a uma conclusão semelhante em um de seus artigos analíticos, discutindo as vantagens competitivas da TSMC. No âmbito da tecnologia de 10 nm, como o autor explica, TSMC e Samsung garantiram uma densidade comparável de transistores, na região de 52-53 milhões de peças por milímetro quadrado de área de cristal. Ao mesmo tempo, a Intel estava visivelmente à frente, fornecendo uma densidade de transistores de até 106 milhões de peças por milímetro quadrado. Na verdade, o desempenho do processo de 10 nm da Intel superou a tecnologia de 7 nm da TSMC (97 milhões) e a da Samsung (95 milhões). Com a tecnologia de 7 nm, espera-se que a Intel atinja uma densidade de transistor de 180 milhões de unidades por milímetro quadrado.

Fonte da imagem: DigiTimes

O próximo passo será a tecnologia de 5nm, onde a Intel espera aumentar a densidade para 300 milhões de transistores por milímetro quadrado, e a TSMC já deixou para trás a Samsung, oferecendo uma densidade de 173 milhões de transistores por milímetro quadrado contra 127 milhões de peças do concorrente coreano. A tecnologia de processo de 3 nm é notável pelo fato de que a Samsung, ao desenvolvê-la, espera atingir uma densidade de transistores de 170 milhões de peças por milímetro quadrado, e a Intel ultrapassará essa barreira mesmo no âmbito da tecnologia de 7 nm. Na verdade, a tecnologia de processo 7nm da Intel, a tecnologia de processo 5nm da TSMC e a tecnologia de processo 3nm da Samsung terão características geométricas comparáveis.

Voltando às características da tecnologia de processo de 3nm, deve-se notar que na Intel ela fornecerá uma densidade de transistores de até 520 milhões de peças por milímetro quadrado – este nível a TSMC não alcançará nem mesmo no âmbito da tecnologia de 2nm, de acordo com o previsões do presidente da DigiTimes Ásia. O problema é que a designação digital do processo técnico nas condições modernas não dá uma ideia clara de suas características. A Intel já percebeu esse problema e, portanto, a gigante do processador pode oferecer um sistema de designação atualizado para suas normas litográficas em um futuro próximo. Não se pode descartar que representantes da Intel falem sobre a realização de uma espécie de “denominação litográfica” no âmbito de um evento de perfil, que está marcado para 26 de julho.