TSMC, Samsung e Intel estão competindo para introduzir inovações semelhantes em litografia, tentando vencer umas às outras no tempo de lançamento no mercado. Além da estrutura dos transistores com porta envolvente, eles agora competem no momento de implementação da alimentação para o verso do chip. A Intel está pronta para fazer isso dentro da estrutura de sua tecnologia de processo 20A, enquanto a Samsung e a TSMC estão se concentrando em suas próprias tecnologias de 2 nm.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
Se os planos da Intel e da TSMC nesta área não eram segredo para ninguém, então no que diz respeito à Samsung a intriga permaneceu, embora este fabricante sul-coreano ousasse introduzir a estrutura do transistor GAA dentro da tecnologia de processo de 3nm, à frente dos seus concorrentes. De acordo com Chosun Biz, a Samsung espera implementar a fonte de alimentação no verso do dispositivo semicondutor como parte da tecnologia de processo de 2nm, que começará a produzir produtos no próximo ano.
A combinação dessas tecnologias permite reduzir a área da matriz de um processador com arquitetura Arm em 10 a 19% e aumentar a frequência operacional em um percentual de um dígito. Tradicionalmente, os traços de energia eram fornecidos aos elementos do processador formando camadas metalizadas do cristal em sua parte superior. À medida que o número de camadas aumentava e a distância entre os elementos diminuía, isso se tornava cada vez mais difícil, então os especialistas pensaram em fornecer energia pelo lado reverso do cristal. Esta abordagem permite aumentar a eficiência energética do chip e ao mesmo tempo reduzir a área do chip.
Inicialmente, a Samsung esperava introduzir esta tecnologia até 2027 em simultâneo com o desenvolvimento da tecnologia de processo de 1,7 nm, mas dada a maior actividade dos concorrentes, poderá adiar o prazo para um período anterior, já no âmbito da tecnologia de 2 nm. A Intel está implementando a fonte de alimentação do lado reverso do chip como parte da tecnologia 20A já este ano, e a TSMC fará isso em 2026, quando dominar processos tecnológicos de 2 nm e mais finos.