Em um esforço para desviar a atenção dos rumores de que estava buscando um parceiro estratégico na fabricação de chips, os executivos da Intel disseram esta semana que estavam usando com sucesso a última geração de sistemas de litografia que receberam da ASML para produção de chips de baixo volume. Usando a tecnologia EUV High-NA, a empresa conseguiu processar 30.000 wafers de silício em um trimestre.
Fonte da imagem: Intel
A Intel recebeu o equipamento de litografia EUV High-NA da ASML no ano passado, e dois sistemas (presumivelmente TwinScan EXE:5000) já estão configurados para produção em quantidades suficientes. Segundo representantes da Intel, o novo equipamento permite reduzir o número de etapas tecnológicas na produção de chips modernos e agiliza a produção de produtos avançados. A Intel levou um total de sete anos para se preparar para o lançamento dessa tecnologia.
Houve problemas de confiabilidade com sistemas EUV nos primeiros experimentos, mas o hardware EUV de alta NA é duas vezes mais confiável que as soluções da geração anterior, de acordo com o engenheiro-chefe da Intel, Steve Carson. Os tempos do ciclo de produção são reduzidos pela mudança para equipamentos de alta abertura numérica. Por exemplo, se antes eram necessárias três exposições e 40 operações tecnológicas para processar uma pastilha de silício, agora o número destas últimas foi reduzido para menos de dez, sendo necessária apenas uma exposição.
Como se sabe, a Intel usou equipamentos da classe EUV High-NA como experimentais na preparação para o lançamento de chips baseados na tecnologia Intel 18A, mas não os utilizará na versão serial. Ele deve ser implementado já com o lançamento de chips baseados na tecnologia Intel 14A, no mínimo, no ano que vem. Isso usará equipamentos ainda mais novos da família TwinScan EXE:5200 da ASML, cujos primeiros componentes a empresa deve receber nos próximos meses. A concorrente TSMC fará a transição para o EUV High-NA não antes de 2028, como esperam os especialistas.