A SK Hynix levou menos de um ano para passar do estágio de conclusão do desenvolvimento da memória HBM2E para o início de sua produção em massa. Mas o principal não é essa eficiência incrível, mas as características únicas de alta velocidade dos novos chips HBM2E. A largura de banda dos chips HBM2E SK Hynix é de até 460 GB / s por chip, o que é 50 GB / s maior do que antes.
Um avanço significativo no desempenho da memória do tipo HBM deve ocorrer ao alternar para a memória de terceira geração ou HBM3. Em seguida, a taxa de câmbio aumentará para 820 GB / s. Enquanto isso, os chips SK Hynix preencherão a lacuna, cuja taxa de câmbio para cada saída é de 3,6 Gb / s. Cada um desses microcircuitos é montado a partir de oito cristais (camadas). Dado que cada camada possui um cristal de 16 Gbit, a capacidade total dos novos microcircuitos é de 16 GB.
A memória com uma combinação similar de características começa a ser procurada e relevante para a criação de soluções no campo de aprendizado de máquina e inteligência artificial. Ela cresceu fora do campo de placas de vídeo para jogos, onde começou uma vez graças às placas de vídeo AMD. Hoje, o principal objetivo da memória HBM é computação de alto desempenho e IA.
«A SK Hynix está na vanguarda da inovação tecnológica que promove a civilização humana por meio de avanços, incluindo o primeiro desenvolvimento de produtos HBM do mundo ”, disse Jonghoon Oh, vice-presidente executivo e diretor de marketing da SK Hynix. “Com a produção em larga escala da HBM2E, continuaremos a fortalecer nossa presença no mercado de memória premium e liderar a quarta revolução industrial.”
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