No calendário da Micron, o trimestre fiscal encerrado em 28 de maio, a empresa informou em um evento de relatório quais marcos tecnológicos havia superado em meio a uma pandemia. As amostras de memória da classe HBM começaram a chegar aos clientes, a produção de RAM passou para o processo de fabricação de 1z nm e as entregas da NAND de 128 camadas com um obturador de substituição foram iniciadas.
Fonte da imagem: Micron Technology
Por um longo tempo, a Micron Technology, de fora, observou a liberação de memória como a HBM pelos concorrentes coreanos, mas agora também passou do desenvolvimento dessa classe de memória para o fornecimento de amostras para os clientes. É enfatizado que o HBM da Micron é capaz de competir com os produtos avançados do mercado, portanto, é mais provável que tecnicamente fale sobre chips como o HBM2 ou mesmo o HBM2e. A Micron não nomeia os clientes que recebem amostras dessa memória, mas enfatiza que, com sua ajuda, serão criadas soluções para sistemas de inteligência artificial.
No campo da produção de RAM, a Micron conseguiu avançar tecnologicamente para a litografia do estágio de 1z nm. De fato, isso corresponde a aproximadamente 13 nm do processo de fabricação e é o mais avançado no segmento DRAM. Até o momento, os clientes receberam apenas amostras dos microcircuitos correspondentes, mas a Micron está falando em transferir até metade do volume total de DRAM produzido para os processos tecnológicos 1z e 1y nm. No próximo ano fiscal, que chegará à Micron neste calendário, a empresa espera começar a liberar memória para o processo de fabricação de 1α nm. As entregas de chips DDR5 fabricados com tecnologia de 1z nm já começaram.
Fonte da imagem: Micron Technology
No trimestre passado, foi estabelecida a produção em massa de memória NAND de 128 camadas com um obturador de reposição, sobre o qual a empresa falou em setembro do ano passado. Os clientes já estão recebendo os chips apropriados. Um bom progresso foi observado no domínio do lançamento da memória NAND com um obturador de segunda geração, que ocupará uma parte significativa da gama de produtos Micron no futuro. Essa memória da primeira geração até o final do ano civil atual também aumentará significativamente sua participação no programa de produção da empresa.
Agora, a memória 3D NAND (QLC) de quatro bits por célula ocupa mais de 10% da saída total de memória de estado sólido da Micron. Isso ajuda a reduzir os custos de produção, mas a empresa está ciente de que a memória TLC dominará o mercado por muito tempo. Os dispositivos de armazenamento baseados em QLC já estão sendo entregues ao mercado consumidor. No segmento de servidores, eles deslocam sistematicamente os discos rígidos com uma velocidade de rotação de 10.000 rpm.
Os drives Micron com interface NVMe expandem seu alcance, já são oferecidos no setor de consumo. Em maio, foram introduzidas unidades de estado sólido de grau consumidor baseadas na memória TLC e QLC, respectivamente. Ambos os tipos de unidades usam memória 3D NAND de 96 camadas.