Especialista líder em substratos de vidro da Intel se junta à Samsung

O especialista em encapsulamento de chips da Intel, Gang Duan, que foi nomeado Inventor do Ano pela gerência da empresa em 2024, deixou seu cargo na Intel para ingressar na Samsung.

Fonte da imagem: intel.com

Uma das áreas de pesquisa de Gang Duan tem sido o desenvolvimento de tecnologias avançadas de encapsulamento de chips, inclusive em substratos de vidro. O vidro é mais resistente do que os materiais atualmente utilizados para encapsular chips e possui maior resistência ao calor, auxiliando os chips a processar grandes volumes de dados. A tecnologia pode ser crucial para a próxima geração de produtos semicondutores, incluindo chips utilizados em treinamentos de inteligência artificial.

O Sr. Duan deixou a Intel em junho, após mais de 17 anos, e ingressou na Samsung Electro-Mechanics America em agosto como vice-presidente executivo. A unidade é especializada em componentes eletrônicos avançados e colabora com a divisão de manufatura da Samsung Electronics, concorrente direta da Intel. A Samsung Electro-Mechanics pretende iniciar a produção em massa de substratos de vidro até 2027.

A decisão do especialista de mudar de emprego não tem relação direta com as estratégias de nenhuma das empresas, disseram fontes ao Wall Street Journal, e é motivada em grande parte por motivos pessoais. A Intel, por sua vez, decidiu priorizar chips de IA não para treinamento, mas para executar modelos já treinados. A empresa revelou substratos de vidro em setembro de 2023 e, um ano depois, o Sr. Duan afirmou que tais substratos seriam usados para fabricar os chips de IA do futuro.

O novo CEO da empresa, Lip-Bu Tan, vê a tecnologia como menos relevante, com suas prioridades agora sendo o retorno à disciplina financeira e a ênfase em áreas onde a Intel pode provar sua liderança no setor. Agora, se a Intel precisar de substratos de vidro, poderá comprá-los da Samsung Electro-Mechanics, Corning ou Absolics (parte do mesmo conglomerado da SK Hynix), afirmam analistas.

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