Samsung revelou detalhes sobre a tecnologia de processo de 1,4 nm – a empresa repetirá o desenvolvimento da Intel

Recentemente, o vice-presidente da divisão de fabricação contratada de chips da Samsung, Jeong Gi-Tae, em entrevista ao The Elec, disse que na futura tecnologia de processo SF1.4 (classe de 1,4 nm), o número de canais em transistores será aumentado de três para quatro, o que trará benefícios tangíveis em termos de desempenho e consumo de energia. Isso acontecerá três anos depois do lançamento de transistores semelhantes da Intel, o que forçará a Samsung a alcançar seu concorrente.

Fonte da imagem: Samsung

A Samsung foi a primeira a produzir transistores com uma porta que envolve completamente os canais dos transistores (SF3E). Isso aconteceu há mais de um ano e é usado de forma bastante seletiva. Por exemplo, esse tipo de tecnologia de processo de 3 nm é usado para produzir chips para mineradores de criptomoedas. Os canais dos transistores no novo processo tecnológico são nanofolhas finas colocadas umas sobre as outras. Os transistores Samsung possuem três desses canais, que são cercados em todos os quatro lados por uma porta e, portanto, a corrente flui através deles sob controle preciso com vazamento mínimo.

Planos da Samsung para introduzir novos processos tecnológicos

A Intel, por outro lado, começará a produzir seus primeiros transistores com canais de nanofolhas em 2024 usando o processo RibbonFET Gate-All-Around (GAA) de 2nm. Desde o início, eles terão quatro canais de nanofolhas cada. Isso significa que os transistores GateGAA da Intel serão mais eficientes do que os transistores Samsung de design semelhante, serão capazes de passar mais corrente e serão mais eficientes em termos energéticos do que os transistores do concorrente sul-coreano. Isso durará cerca de três anos até que a Samsung comece a produzir chips usando a tecnologia de processo SF1.4, o que está previsto para 2027. Como agora se sabe, eles também se tornarão “quatro folhas” – receberão quatro canais cada, em vez dos três de hoje.

A arquitetura dos futuros transistores de 2 nm da Intel com canais de nanofolhas completamente cercados por uma porta. Fonte da imagem: Intel

Outra coisa é: a Samsung realmente ficará atrás da Intel em termos de tecnologia? Até lá, a empresa sul-coreana terá cinco anos de experiência na produção em massa de transistores GAA, enquanto a Intel continuará sendo uma novata. E com a produção desses transistores, dificilmente tudo será simples, já que a Samsung usa esse processo técnico de forma muito, muito seletiva. Em qualquer caso, a transição para uma nova arquitetura de transistores será um avanço significativo para a indústria de semicondutores e permitirá, durante mais alguns anos, empurrar para trás a barreira além da qual a produção tradicional de semicondutores não estará mais na vanguarda do progresso.