Dez anos atrás, a HP anunciou o desenvolvimento de um “quarto elemento elétrico” – o memristor. Na verdade, essa é toda uma classe de memória não volátil, que se baseia no efeito de controlar a resistência celular. Memristors vai melhorar os parâmetros de memória para armazenamento de dados não voláteis, mas eles, como a memória flash, têm um limite de escala, embora seja muito mais longe. Os cientistas prometem expandir a escala ao nível dos átomos.
Fonte da imagem: Universidade do Texas em Austin
Aumentar a densidade de gravação dos memristores ou ReRAM de memória resistiva, como costuma ser chamada na imprensa, é o principal objetivo dos pesquisadores. Cientistas da Universidade do Texas em Austin desenvolveram uma teoria e testaram na prática um elemento de memória comparável a um átomo. Em seu trabalho, publicado na publicação Nature Nanotechnology, eles prometem a perspectiva de atingir uma densidade de gravação de 25 Tbit por cm2, e o próprio elemento foi chamado de atomristor.
O mais interessante é que pode haver uma grande variedade de materiais para as células do atomistor. Em seu estudo, os cientistas realizaram um experimento com dissulfeto de molibdênio (MoS2). A ideia é que um defeito ou vacância na estrutura cristalina de uma substância (neste caso, MoS2) substitua um átomo de metal. Este átomo muda a condutividade do material, ou em termos mais simples, sua resistência.
A tecnologia parece ser simples, mas ainda há muita pesquisa e desenvolvimento de dispositivos de gravação e leitura que poderiam operar em átomos individuais, direcionando-os para defeitos de rede cristalina e extraindo-os de volta. Mas 25 Tbit / cm2 é impressionante!