Startup americana inventa memória HBM de um futuro distante, mas ninguém está interessado

A jovem empresa americana NEO Semiconductor apresentou mais uma versão de sua revolucionária memória X-DRAM. Desta vez, os fabricantes recebem a memória X-HBM, que está um quarto de século à frente de seu tempo – e talvez mais. Os chips X-HBM prometem oferecer largura de banda 16 vezes maior ou densidade de gravação 10 vezes maior em comparação com os chips de memória HBM modernos mais avançados.

Fonte da imagem: NEO Semiconductor

«“O X-HBM não é uma atualização incremental, mas um avanço fundamental”, disse Andy Hsu, fundador e CEO da NEO Semiconductor. “Com 16 vezes a taxa de transferência das soluções existentes ou 10 vezes a densidade, o X-HBM oferece aos fabricantes de chips de IA um caminho claro para o desempenho da próxima geração, anos antes do previsto. Isso será um divisor de águas que acelerará o desenvolvimento da infraestrutura de IA, reduzirá o consumo de energia e expandirá a escalabilidade da IA em todos os setores.”

A NEO Semiconductor anunciou pela primeira vez a promissora arquitetura de memória X-DRAM em 2020. O desenvolvimento é protegido por centenas de patentes. Em geral, estamos falando de um arranjo empilhado de matrizes de células de memória – semelhante à arquitetura NAND 3D. Essa abordagem permite um aumento significativo na densidade de gravação e um barramento de transferência de dados muito mais amplo para o processador.

A arquitetura X-HBM foi projetada para usar um barramento de memória de 32.768 bits. Para efeito de comparação, o HBM5, ainda em desenvolvimento e com previsão de lançamento no mercado por volta de 2030, suportará um barramento de 4.096 bits e 40 Gbits por chip. Já o HBM8, previsto para 2040, deverá oferecer apenas um barramento de 16.384 bits e 80 Gbits por chip. Nesse contexto, o X-HBM, com um barramento de dados de 32.768 bits e 512 Gbits por chip, parece um visitante de um futuro distante, capaz de aproximar os projetistas de chips de IA das tecnologias do futuro décadas antes.

A NEO Semiconductor também conta com chips 3D X-AI, que, além da estrutura multicamadas, contêm camadas de redes neurais. Isso permite que os dados sejam processados diretamente na memória, economizando recursos de GPU e CPU e reduzindo o consumo.

A empresa apresenta anualmente diversas versões da tecnologia X-DRAM no FMS Summit, em agosto. Este ano não foi exceção: a memória X-HBM foi apresentada ao público. Infelizmente, nenhum fabricante demonstrou interesse na produção desta e de outras versões da memória de pilha da NEO Semiconductor. A indústria está ansiosa para falar sobre revoluções, mas, na prática, toda inovação precisa dar resultado — e isso não pode ser feito às pressas.