“SK hynix revela a memória de servidor DDR5 MCR DIMM mais rápida – 80% mais rápida que os módulos padrão”

“SK hynix anunciou a criação dos módulos de memória DDR5 de servidor mais rápidos – eles têm uma velocidade de 8000 MT / s (ou 8 Gb / s). Isso é cerca de 80% mais rápido do que os módulos DDR5-4800 padrão usados ​​no segmento de servidores. Em ao mesmo tempo, o fabricante não fez overclock da própria memória, mas ainda fez os módulos quase duas vezes mais rápidos.”

“Fonte da imagem: SK hynix”

“Uma característica fundamental da memória do servidor SK hynix DDR5-8000 é a tecnologia Multiplexer Combined Ranks (MCR), desenvolvida em colaboração com a Intel e a Renesas. Usando um chip especial desenvolvido pela Renesas que atua como um buffer de dados, o SK hynix forneceu a capacidade de usar simultaneamente memória de dois níveis (chips em ambos os lados do módulo) para aumentar a largura do canal de dados para 128 bits em vez dos habituais 64 bits. O chip Renesas atua como um elo intermediário entre o processador central e o módulo RAM, como mostrado no diagrama abaixo.”

“A nova arquitetura de memória fornece a capacidade de enviar simultaneamente o dobro de informações para a CPU em comparação com os módulos DRAM convencionais. Como resultado, um aumento significativo na velocidade dos módulos é alcançado sem a necessidade de aumentar a frequência da memória os próprios chips.”

Sameer Kuppahalli, vice-presidente e gerente geral de interfaces de memória da Renesas, disse que o desenvolvimento do buffer de dados levou três anos de trabalho intensivo. A SK hynix espera que a nova memória seja procurada no segmento HPC, mas ainda não anunciou o data de início para produção em massa de memória MCR DIMM.”