Samsung promete produção em massa de memória flash NAND 3D de 236 camadas até o final do ano

Neste verão, os principais fabricantes de memória flash anunciaram sua intenção de dominar a próxima fronteira em complexidade de empacotamento 3D NAND. A American Micron Technology anunciou no início das entregas de cristais de 232 camadas, a SK hynix elevou as taxas para 238 camadas. Agora, a Samsung Electronics está pronta para anunciar que iniciará as entregas de memória de 236 camadas antes do final deste ano.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Como você pode ver, a disseminação nas características da memória NAND 3D multicamada fornecida pelos principais fabricantes é muito pequena. Ao mesmo tempo, a Samsung Electronics, que fez seu anúncio por último, não conseguiu bloquear as ofertas dos concorrentes, mas caiu no meio da faixa. Não esqueçamos, no entanto, que é a Samsung que continua a ser a maior fabricante de chips de memória, e para ela a capacidade de produzir 3D NAND com as características desejadas em volumes adequados é crucial.

Agora, a Samsung Electronics ocupa 35% do mercado de memória flash, mas fornece chips 3D NAND com no máximo 176 camadas. Está pronto para aumentá-lo em 60 camadas antes do final deste ano. Este mês, a gigante coreana abrirá um novo centro de pesquisa especializado no desenvolvimento de tipos promissores de memória de estado sólido. Aparentemente, um novo impulso à atividade de investimento da Samsung Electronics foi dado este mês pela anistia final do chefe formal da empresa, Lee Jae-yong, que está tendo a oportunidade de se tornar presidente do conselho de administração do império fundado por seu avô.