Samsung falará sobre memória flash NAND 3D de 400 camadas em fevereiro

Tornou-se conhecido o próximo relatório dos engenheiros da Samsung na IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Isso acontecerá em 19 de fevereiro. Especialistas falarão sobre a futura memória 3D NAND de 400 camadas, que nenhum fabricante no mundo ainda possui.

Fonte da imagem: BlocksAndFiles.com

De acordo com o documento, a futura memória Samsung terá mais de 400 camadas de trabalho. Cristais com conjuntos separados de camadas serão colados entre si durante o processo de produção (tecnologia WF-Bonding ou substrato a substrato), o que simplificará a produção de multicamadas. chips de memória.

Hoje, a memória com o maior número de camadas é produzida em massa ou em forma de amostra pela SK Hynix (321 camadas), Samsung (286), Micron (276), Western Digital e Kioxia (218) e SK Hynix Solidigm (192). Ao mesmo tempo, Western Digital, Kioxia e YMTC estão desenvolvendo memória de 300 camadas, que será apresentada no próximo ano. A principal luta pelo campeonato estourou entre SK Hynix e Samsung, que estão prontas para invadir as fronteiras da memória com 400 camadas ou mais.

O chip Samsung de 400 camadas que deverá ser apresentado terá volume de 1 Tbit com densidade de 28 Gbit/mm2. Três bits de dados serão gravados em cada célula. A velocidade de transferência declarada para cada contato chegará a 5,6 Gbit/s, o que é 75% maior quando comparado aos atuais chips de memória Samsung de 9ª geração (a memória de 400 camadas pertencerá ao V-NAND Samsung de 10ª geração). Obviamente, essa memória é adequada para fazer SSDs com barramentos PCIe 5.0 e PCIe 6.0.

A memória mais densa da Samsung pode levar os fabricantes a lançar SSDs de 256 TB e até 512 TB. Talvez seja daqui a um ou dois anos. Vamos aguardar o relatório de fevereiro e posicionamentos mais claros da administração da Samsung em relação à produção de novas memórias.