O segmento de memória HBM está se desenvolvendo de forma muito dinâmica, pois é justamente ela que é utilizada nos aceleradores de computação exigidos pelo mercado para sistemas de inteligência artificial. A Samsung Electronics anunciou o desenvolvimento da primeira pilha HBM3E de 12 camadas do mundo com capacidade total de 36 GB, que fornece transferência de informações a uma velocidade de 1280 GB/s.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
Conforme explicado em um lacônico comunicado de imprensa do fabricante, em termos de capacidade e velocidade de transferência de informações, a pilha HBM3E de 12 camadas é mais de 50% superior às pilhas HBM3 de 8 camadas disponíveis no mercado. Uma característica da nova tecnologia de produção de memória é o uso de compressão térmica em combinação com um filme dielétrico na formação de pilhas de 12 camadas e conexões intercamadas. A pilha HBM3E de 12 camadas resultante acaba tendo a mesma altura de montagem de uma pilha de 8 camadas. A distância entre os chips de memória em uma pilha não excede 7 mícrons, o que é um recorde do setor. A densidade do layout dos chips na pilha aumentou em mais de 20%.
A tecnologia da Samsung também envolve o uso de bolas de contato de diferentes tamanhos entre as camadas de memória. Bolas pequenas são usadas para transmissão de sinal, enquanto as maiores ajudam a melhorar a dissipação de calor. Essa técnica de produção também aumenta o rendimento, segundo a Samsung. A empresa estima que a memória HBM3E de 12 camadas pode aumentar a velocidade de treinamento dos sistemas de inteligência artificial em 34%, e o número de usuários simultâneos pode aumentar mais de 11,5 vezes em comparação com a pilha HBM3 de 8 camadas. As entregas de memória HBM3E em versões de 12 camadas na forma de amostras de engenharia para as necessidades dos clientes Samsung já começaram, e a produção em massa começará no primeiro semestre deste ano.