Samsung conseguiu certificar sua memória HBM3E de 8 camadas de acordo com os requisitos da Nvidia

A mais recente memória HBM3E da Samsung Electronics não conseguiu entrar nas cadeias de fornecimento da Nvidia por muito tempo porque não passou nos testes de certificação, e agora fontes bem informadas relatam que os chips de 8 camadas deste tipo da Samsung foram finalmente certificados pelo maior desenvolvedor de chips para sistemas de inteligência artificial.

Isto foi relatado pela Reuters, citando três fontes independentes. Formalmente, esta etapa abre caminho para produtos Samsung deste tipo para a tão esperada cooperação com a Nvidia, já que até agora, dos três fabricantes HBM3E existentes, apenas a Samsung não podia se orgulhar de possuir os certificados necessários. O principal fornecedor de HBM3E para as necessidades da Nvidia é conhecido como SK hynix, que controla cerca de metade do mercado para este tipo de chip.

A Samsung ainda não obteve a certificação Nvidia para seus chips HBM3E de 12 camadas, então a gigante sul-coreana ainda está tentando se atualizar em comparação com seus concorrentes. No caso das pilhas HBM3E de 8 camadas, a Samsung ainda não assinou um contrato com a Nvidia para começar a enviá-las a esse cliente no quarto trimestre deste ano. Acredita-se que, para atender aos requisitos da Nvidia, a Samsung teve que fazer grandes mudanças no design e na tecnologia de fabricação dos chips de memória HBM3E.

Foi recentemente relatado que a memória HBM3 menos avançada da Samsung foi certificada pela Nvidia para uso em aceleradores de computação voltados para o mercado chinês. De acordo com estimativas da TrendForce, os microcircuitos da geração HBM3E se tornarão o tipo dominante de HBM até o final deste ano, com a maior parte de suas entregas ocorrendo no segundo semestre do ano. A Samsung espera diretamente aumentar a participação do HBM3E para 60% das remessas na estrutura de chips da família HBM até o final deste ano.