Samsung concorda em fornecer HBM3E para aceleradores AMD Instinct MI350

A memória HBM3E da Samsung Electronics tem sido notícia com mais frequência por não atender aos requisitos de certificação da Nvidia, mas o The Chosun Daily relatou recentemente que a Samsung fornecerá aos aceleradores Instinct MI350 mais recentes da AMD memória HBM3E de 12 camadas.

A Samsung espera começar a enviar memórias HBM4 no próximo ano, junto com os aceleradores Instinct MI400 da AMD. Algumas estimativas sugerem que a Samsung também poderá começar a enviar suas memórias HBM3E para a Nvidia já neste mês, embora algumas fontes estejam menos otimistas. Elas afirmam que a terceira tentativa da Samsung de obter a certificação HBM3E de acordo com os critérios da Nvidia fracassou e que a empresa não terá outra chance até setembro deste ano.

A AMD anunciou recentemente que a Samsung Electronics e a Micron Technology fornecerão aos seus aceleradores Instinct MI350X e MI355X memória HBM3E de 12 camadas. No caso dos produtos Samsung, estamos provavelmente falando de pilhas HBM3E de 12 camadas com capacidade de 36 GB. Em sua criação, a empresa aplicou uma série de inovações que permitiram que a altura geral da pilha fosse mantida no nível da versão de 8 camadas.

Os aceleradores AMD Instinct MI400 podem receber até 432 GB de memória HBM4, e o rack de servidor Helios baseado neles aumentará a capacidade de memória para 31 TB, combinando até 72 aceleradores deste modelo. Acredita-se que os principais players do mercado de chips de memória, Samsung e SK Hynix, iniciarão a produção em massa do HBM4 até o final deste ano. No estágio apropriado de desenvolvimento do mercado, a Samsung espera se recuperar das falhas com o HBM3E.