O sucesso da SK hynix como principal fornecedor de memória HBM foi confirmado ontem pelas demonstrações financeiras da empresa, enquanto seu maior concorrente Samsung Electronics permanece à margem neste segmento de mercado. No entanto, isso não o impediu de concluir um contrato para o fornecimento de HBM3E com a AMD no valor de US$ 3 bilhões.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
Este acordo é relatado pela TrendForce com referência à mídia sul-coreana. Segundo eles, no segundo semestre deste ano, a AMD espera lançar aceleradores de computação Instinct MI350, e a Samsung irá fornecê-los com seus chips de memória HBM3E de 12 camadas. Consta que o negócio envolve uma espécie de “permuta”: parte dos chips de memória será trocada por aceleradores AMD. A TSMC produzirá diretamente chips aceleradores Instinct MI350 usando tecnologia 4nm. Além disso, a AMD está negociando com a Samsung o tema do contrato de produção de seus chips, mas o contrato especificado para o fornecimento de HBM3E não está de forma alguma relacionado a este tema.
Em outubro de 2023, a Samsung apresentou os chips HBM3E da família Shinebolt, e em fevereiro deste ano os demonstrou em um design de 12 camadas, permitindo a formação de até 36 GB de memória desse tipo em uma pilha. A produção em massa desses chips começará no segundo semestre de 2024. Eles aumentam o rendimento em uma vez e meia, até 1280 GB/s. Devido ao uso de tecnologia de embalagem mais avançada, a altura dos chips de 12 camadas permanece no nível dos chips de 8 camadas da geração anterior. As pilhas de memória de doze camadas melhoram o desempenho em tarefas de inteligência artificial em 34%, em média, em comparação com as de oito camadas.