Samsung acelerou o desenvolvimento do HBM4 para ficar à frente da SK hynix

A memória da família HBM tem se mostrado muito procurada no segmento de aceleradores computacionais para sistemas de inteligência artificial, e alguns fornecedores estão tentando fortalecer suas posições neste rentável segmento de mercado. A Samsung está obviamente atrás da SK Hynix nesta área, mas tentará recuperar o atraso na preparação para o lançamento em massa de chips do tipo HBM4.

Pelo menos é o que indica a publicação do recurso sul-coreano The Chosun Daily, que cita fontes familiarizadas com os planos da Samsung Electronics. De acordo com as informações disponíveis, a Samsung já concluiu o desenvolvimento dos cristais base para o HBM4, e confiou a sua produção utilizando a tecnologia 4nm à sua própria divisão contratual. Assim, a Samsung espera receber rapidamente amostras prontas de chips HBM4 e enviá-las a clientes em potencial que poderão eventualmente desertar da SK hynix se a iniciativa for bem-sucedida.

Uma característica das pilhas HBM4 é que elas possuem uma matriz base com lógica, cujas funções podem diferir de cliente para cliente. A necessidade dessa adaptação, combinada com o foco na redução do consumo de energia, obriga a SK Hynix a confiar a produção desses cristais básicos à TSMC de Taiwan. Inicialmente, acreditava-se que eles seriam produzidos para SK hynix usando tecnologia de 5 nm e, neste contexto, a decisão da Samsung de usar sua tecnologia de processo de 4 nm para fins semelhantes parecia mais vantajosa, mas há algum tempo surgiram informações sobre as intenções da SK hynix de encomendar TSMC para a produção de cristais básicos usando tecnologia mais avançada de 3 nm.

Segundo a Samsung, a produção interna de cristais básicos permitirá à empresa responder mais rapidamente às solicitações dos clientes, pelo que a empresa espera fortalecer a sua posição no mercado após o lançamento no mercado dos seus chips do tipo HBM4. Em segundo lugar, a Samsung espera usar uma tecnologia de processo de classe 10nm de sexta geração mais avançada para produzir matrizes DRAM empilhadas, enquanto a SK hynix é creditada com um processo de 10nm de quinta geração. Densamente dispostos em uma pilha de até 16 camadas, os microcircuitos podem gerar uma quantidade significativa de calor, por isso o processo técnico de sua fabricação é de particular importância.

Finalmente, ao produzir o HBM4, a Samsung espera introduzir um método híbrido mais avançado para formar conexões intercamadas usando cobre e uma tecnologia de empacotamento de chips TC-NCF mais moderna. A empresa pretende iniciar a produção em massa do HBM4 este ano.