A empresa americana NEO Semiconductor anunciou a conclusão do desenvolvimento e obtenção de patentes para a primeira memória DRAM multicamada do mundo, criada por analogia com 3D NAND. Afirma-se que a transição para o tipo “tridimensional” de RAM apenas nos próximos 10 anos aumentará a densidade e a capacidade dos chips DRAM em oito vezes. Isso estimulará o desenvolvimento de plataformas de inteligência artificial e computação em geral, se a tecnologia for suportada pelos fabricantes.
Fonte da imagem: NEO Semiconductor
No exemplo da memória NAND 3D, vimos que um salto para cima – aumentar o número de camadas em um microcircuito em vez de aumentar a área de um único cristal – é muito, muito conveniente. A Samsung foi a primeira a se provar nisso, introduzindo a memória flash V-NAND com 24 camadas em agosto de 2013. Dez anos se passaram e hoje as empresas oferecem NAND 3D com mais de 200 camadas e prometem chips de 500 camadas em um futuro próximo. Tal progresso no campo da RAM seria muito procurado hoje, quando o mundo foi varrido por uma onda de interesse em grandes modelos de linguagem de IA.
A NEO Semiconductor oferece essa solução e está pronta para licenciar a tecnologia de produção para todas as empresas interessadas. Infelizmente, os principais fabricantes de DRAM até agora não demonstraram interesse em 3D X-DRAM. O próprio desenvolvedor no comunicado à imprensa também não indicou o interesse da indústria neste projeto, que repete a situação com outra invenção revolucionária da empresa – a memória flash X-NAND. Isso sugere que o desenvolvimento da tecnologia é bastante rudimentar ou pouco promissor do ponto de vista da Samsung, SK hynix e Micron.
No entanto, permanece a possibilidade de que os três principais líderes do mercado de DRAM não se apressem em 3D X-DRAM, desde que tenham tecnologias de RAM planar em estoque. Todos eles têm planos de dominar a produção de chips com padrões de até 10 nm ou menos, cujo caminho foi depurado e repetidamente testado. Quando esse recurso se esgotar, a memória DRAM começará a se tornar multicamadas.
O desenvolvedor do 3D X-DRAM até agora revelou poucas informações sobre o novo produto. Em primeiro lugar, o aumento da densidade e das camadas das células é obtido eliminando os capacitores na célula de memória – apenas um transistor e uma carga flutuante. Esta é a chamada célula FBC (célula flutuante do corpo). Isso alcança simplicidade de arquitetura e design, bem como o processo de fabricação. Por exemplo, para as principais etapas de processamento de cristais 3D X-DRAM, uma fotomáscara será suficiente, de acordo com a NEO Semiconductor. Ao mesmo tempo, não haverá necessidade de perseguir processos técnicos avançados e delicados – tudo começará a funcionar no estágio de uso de processos técnicos maduros.
A empresa espera ver o 3D X-DRAM em produção por volta de 2025. Esperam começar com chips de 128 Gb, e em dez anos sonham em chegar à densidade de 1 Tb, como foi o caso da memória 3D NAND. Mas sem declarações da Samsung e de outros para apoiar esse empreendimento, é difícil de acreditar. Ficaremos felizes em estar errados. Como você sabe, nunca há memória suficiente.