Micron apresenta memória HBM3 Gen2 de 1,2 TB/s – 44% mais rápida que HBM3 convencional

A Micron apresentou hoje seus primeiros chips de memória de alta largura de banda HBM3 voltados para sistemas de alto desempenho. A Micron é o mais recente dos principais fabricantes de memória a dominar a produção do HBM3. Em um esforço para recuperar o atraso, a Micron lançará imediatamente uma versão acelerada da memória HBM3 Gen2. A produção em massa das novas pilhas de memória, destinadas principalmente a data centers, começará no início de 2024.

Fonte da imagem: Micron

As pilhas Micron HBM3 Gen2 de 24 GB são construídas empilhando oito matrizes de memória de 24 Gb (8-Hi) fabricadas usando o processo 1β. Em comparação, o SK hynix constrói suas pilhas de 24 GB a partir de matrizes de 16 Gb em uma configuração de 12-Hi. Assim, a Micron pode ser o primeiro fornecedor a oferecer chips HBM3 de 24 GB em uma configuração 8-Hi mais típica. E no próximo ano, a empresa planeja lançar pilhas HBM3 Gen2 de 36 GB com capacidade ainda maior.

A taxa de transferência teórica do HBM3 Gen2 pode atingir 9,2 GT/s (gigatransferência por segundo), que é 44% mais rápida que a especificação básica HBM3 e 15% mais rápida que a velocidade de 8 GT/s da memória SK hynix HBM3E concorrente. O rendimento máximo de cada pilha HBM3 Gen2 é de 1,2 TB/s.

A Micron diz que o uso de suas pilhas HBM3 Gen2 de 24 GB fornecerá taxa de transferência de 4,8 TB/s em subsistemas de memória de 4.096 bits (quatro pilhas) e 7,2 TB/s em subsistemas de memória de 6.096 bits (seis pilhas). Para comparação, a NVIDIA H100 SXM tem uma largura de banda de memória máxima de 3,35 TB/s.

A Micron dobrou o número de conexões Through Silicon Via (TSV) em seus novos módulos de memória em comparação com os produtos HBM3 de outros fornecedores e reduziu a distância entre matrizes de DRAM. Essas duas mudanças de embalagem reduziram a resistência térmica dos módulos de memória e os tornaram mais fáceis de resfriar.

Além disso, o aumento no número de TSVs promete outros benefícios – maior throughput, menor latência, maior eficiência energética e escalabilidade devido à paralelização da transmissão. Também melhora a confiabilidade ao atenuar os efeitos de falhas por meio do redirecionamento de dados. No entanto, esses benefícios vêm com maior complexidade de fabricação e taxas de refugo potencialmente mais altas.

Como outros módulos de memória HBM3, as pilhas HBM3 Gen2 da Micron suportam correção de erro ECC Reed-Solomon, recuperação de célula de memória flexível, recuperação de célula de memória rígida e verificação automática de erros e suporte para depuração. Além das altas frequências, as pilhas Micron HBM3 Gen2 são totalmente compatíveis com equipamentos modernos que usam HBM3.

A Micron planeja iniciar a produção em massa de suas pilhas HBM3 de 24 GB no primeiro trimestre de 2024, com as pilhas HBM3 de 36 GB previstas para iniciar a produção em massa no segundo semestre de 2024.

Até o momento, JEDEC ainda não aprovou especificações para HBM3s mais rápidos do que 6,4 GT/s, portanto, a memória HBM3 Gen2 da Micron, bem como a memória SK hynix HBM3E concorrente, atualmente excedem o padrão. Mas os especialistas não têm dúvidas de que será ajustado, divergindo nas suposições sobre o novo nome.

A Micron também disse que já está trabalhando na memória HBMNext. Essa nova geração de memória deve fornecer largura de banda de 1,5 TB/s a mais de 2 TB/s por pilha em capacidades que variam de 36 GB a 64 GB.