A Kioxia anunciou o início das remessas de teste de novos módulos de armazenamento flash universal (UFS) 3.1 de 256 GB e 512 GB para dispositivos móveis de alto desempenho.
O fabricante afirma que o módulo UFS 3.1 de 256 GB tem apenas 0,8 mm de espessura e o chip de 512 GB tem 1,0 mm de espessura. Ao mesmo tempo, eles estão prontos para fornecer velocidade de leitura aleatória até 30% mais rápida e velocidade de gravação aleatória até 40% mais rápida em comparação com os chips da geração anterior.
Os produtos utilizam memória flash BiCS FLASH 3D. Os módulos flash UFS estão cada vez mais sendo usados no lugar da memória eMMC devido à sua velocidade e maior densidade, de acordo com a empresa. Com referência aos dados da empresa analítica Forward Insights, Kioxia indica que quase 70% dos últimos pedidos de chips de memória flash para dispositivos móveis se enquadram no padrão UFS, e esse número continuará a aumentar no futuro.
O fabricante destaca que os novos módulos flash UFS 3.1 de 256 GB e 512 GB incluem ferramentas adicionais para melhorar o desempenho. Por exemplo, Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0, que melhora o desempenho em operações de leitura aleatória.
Segundo Eddie Wu, CEO da Alibaba Cloud, a empresa planeja aumentar em dez vezes a…
O presidente dos EUA, Donald Trump, disse ter discutido esforços conjuntos para limitar o uso…
A confiança global na IA está prestes a ser testada novamente: a OpenAI planeja dar…
Os desenvolvedores do estúdio americano Unknown Worlds Entertainment (de propriedade da Krafton) anunciaram planos para…
Na WinHEC 2026 (Windows Hardware Engineering Conference), a Microsoft apresentou sua Iniciativa de Qualidade de…
O dispositivo, batizado de Robô Magnético Flexível Água-viva (J-MSR, na sigla em inglês), imita o…