É lançado o primeiro silício com memória ReRAM desenvolvido por Weebit Nano – isso permitirá que você aprecie a novidade incomum

A empresa israelense Weebit Nano – um dos poucos desenvolvedores de memória resistiva, perto da fase de produção – anunciou o lançamento do primeiro silício com blocos ReRAM para avaliação de qualidade do cliente. Na verdade, estamos falando sobre o lançamento de controladores de estande com unidades ReRAM embutidas, graças aos quais é possível desenvolver produtos de software e avaliar de forma abrangente as vantagens da memória resistiva não volátil.

Fonte da imagem: Weebit Nano

A produção de controladores com blocos ReRAM Weebit Nano de 128 Kbit ainda está nas mãos do instituto francês CEA-Leti. A tecnologia de produção ainda está em processo de transferência para a planta americana da empresa SkyWater Technology, que foi contratada para a futura produção de controladores com matrizes ReRAM. Esta memória é extremamente resistente à radiação e influências de temperatura, o que, juntamente com um número significativamente maior de ciclos de regravação, torna-a uma proposta única para a eletrônica militar e aeroespacial.

A empresa não especifica em quais placas e com a ajuda de quais controladores de processo técnico com ReRAM embutido são lançados. Em setembro, foi relatado que a CEA-Leti adaptou a fabricação do bloco de memória resistiva do Weebit Nano para wafers de 300 mm usando um processo de 28 nm. Porém, a planta americana SkyWater Technology possui equipamentos apenas para a produção de controladores de 130 nm, e não é fato que mesmo em substratos de 200 mm, mas em diâmetros de 150 mm ou até menores. Mas a memória ReRAM, como observado acima, não é amada por todos por isso, mas por sua maior confiabilidade e maior resistência ao desgaste, sem perda de velocidade de acesso.

Fonte da imagem: Weebit Nano

Lembre-se de que a gravação na célula de memória ReRAM é realizada por difusão reversível de íons de oxigênio. Os íons formam fios condutores (cadeias de átomos) entre dois eletrodos e criam uma certa resistência entre eles, que é equivalente a escrever dados em uma célula. Essa célula é sobrescrita sem uma operação intermediária de apagamento e isso tem um efeito positivo na velocidade da memória. Além disso, os filamentos iônicos são armazenados sem suporte de energia – a memória ReRAM não é volátil.