Numa conferência de tecnologia em março deste ano, a Samsung Electronics disse que espera produzir DRAM 3D em massa até o final da década. A SK hynix, encorajada por seu sucesso na produção de HBM, informou recentemente que sua produção piloto de DRAM 3D está atingindo uma taxa de rendimento de 56%.
Fonte da imagem: SK Hynix
Lembremos que a memória do tipo HBM utilizada no segmento de computação de alta velocidade na interpretação tradicional possui layout 2,5D, e um layout tridimensional completo deve ser oferecido pela memória DRAM 3D, que atualmente está sendo desenvolvida por todos três dos maiores fabricantes de RAM: Samsung Electronics, SK hynix e Micron Technology.
De acordo com a Business Korea, a SK hynix anunciou progresso intermediário no desenvolvimento de memória DRAM 3D no simpósio VLSI 2024 na semana passada. A empresa já pode produzir microcircuitos de cinco camadas com rendimento de 56,1%, o que é bastante elevado para a fase inicial de produção de um novo tipo de produtos semicondutores. Conforme observado, as características dos protótipos DRAM 3D geralmente não são inferiores às dos chips com layout plano tradicional.
É claro que ainda há muito trabalho a ser feito para criar condições para a produção de DRAM 3D em grandes quantidades. As amostras existentes dessa memória, segundo representantes da SK Hynix, não são estáveis em termos de desempenho e, em termos de adequação para produção em massa, faz sentido contar com a criação de chips de memória com número de camadas de 32 a 192 peças.