A empresa sul-coreana consolidou sua posição como líder de mercado em HBM3E, embora a Samsung Electronics continue líder global em outros tipos de memória. Para manter sua posição nesse segmento lucrativo, a SK hynix pretende iniciar a construção de duas novas instalações de teste e embalagem de memórias de IA nos Estados Unidos e na Coreia do Sul em um futuro próximo.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
Primeiro, como observa a Reuters, a SK hynix iniciará a construção de uma instalação semelhante este mês em sua terra natal, a Coreia do Sul, com um investimento previsto de aproximadamente US$ 12,85 bilhões. Fontes esperam que a instalação esteja concluída até o final do próximo ano.
Segundo, a SK hynix começou a lançar as fundações para uma instalação semelhante no estado de Indiana, nos EUA, cuja construção foi decidida em 2024. A previsão é de que a instalação da SK hynix em Indiana inicie as operações de teste e embalagem de memória em escala total no segundo semestre de 2028. Até lá, ela será capaz de testar e embalar chips de memória HBM4E e HBM5.
Os empreiteiros da SK hynix já começaram a cravar estacas no terreno onde a instalação da empresa nos EUA será localizada. As autoridades locais foram notificadas do início da construção no final da semana passada. A preparação das fundações deve levar vários meses, com a construção das paredes e do telhado da futura instalação prevista para começar no segundo semestre deste ano. O orçamento total do projeto chegará a US$ 3,87 bilhões, excluindo despesas adicionais ou expansões urgentes.
Ao mesmo tempo, a SK hynix expandirá sua capacidade de produção de DRAM na Coreia do Sul. A fábrica M15X foi recentemente ampliada e a instalação de equipamentos já está em andamento no novo prédio, com o início da produção piloto previsto para maio. A primeira unidade no novo complexo de Yongin será concluída em fevereiro do próximo ano, seguida pela instalação dos equipamentos de produção de memória. Nesta fase de desenvolvimento, a SK hynix planeja implementar ativamente a litografia EUV.Num futuro próximo, um total de 20 sistemas litográficos correspondentes serão distribuídos por todas as linhas de produção de memória.