A Samsung espera atingir taxas de transferência de dados de até 13 Gbps usando o HBM4E.

A memória HBM4E é considerada a sétima geração dessa tecnologia, que envolve o empilhamento de múltiplas camadas de DRAM. A Samsung Electronics planeja iniciar a produção em massa da HBM4E em 2027, proporcionando um aumento de duas vezes e meia na velocidade de transferência de dados em comparação com a atual HBM3E.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

De acordo com a Business Korea, citando uma apresentação de representantes da Samsung no OCP Global Summit 2025, na Califórnia, a empresa espera aumentar a taxa de transferência de dados usando o HBM4E para 13 Gbps por pino. Considerando que o HBM4E será equipado com 2.048 pinos, o desempenho resultante poderá chegar a 3,25 TB/s. Além disso, a eficiência energética do HBM4E será mais que o dobro da do HBM3E.

Em janeiro deste ano, a Samsung esperava aumentar a largura de banda do HBM4E para 10 Gbps por pino, portanto, o aumento para 13 Gbps pode ser considerado bastante significativo. Essa mudança foi amplamente impulsionada pela Nvidia, que solicitou que seus potenciais fornecedores de memória para a família de aceleradores Rubin aumentassem a largura de banda do HBM4 de 8 para 10 Gbps. A Samsung e a SK Hynix decidiram elevar o padrão para 11 Gbps, e a Micron foi forçada a fazer o mesmo.

Consequentemente, devido a esse aumento na largura de banda do HBM4, os fabricantes terão que revisar as especificações do HBM4E, potencialmente mais rápido, o que a Samsung já fez formalmente. Importante ressaltar que a largura de banda resultante dessa memória excederá 3 TB/s pela primeira vez.

A Samsung também revelou as especificações do LPDDR6, padronizado pela JEDEC em julho deste ano. A empresa planeja melhorar a eficiência energética em 20% em comparação com o LPDDR5X e aumentar a largura de banda para 114,1 GB/s.

Na fabricação sob contrato, a Samsung pretende iniciar a produção em massa de produtos de 2 nm até o final deste ano.O cliente da Samsung nesta área é a Rebellions, desenvolvedora sul-coreana de aceleradores de IA. Os processadores de 2 nm correspondentesEles poderão atingir frequências entre 3,5 e 4,0 GHz. Isso é um pouco superior aos 3,44 GHz dos processadores Nvidia Grace com arquitetura ARM, fabricados pela TSMC com tecnologia de 4 nm.